[发明专利]扇出型半导体封装件

权利要求书

1.一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：

半导体芯片，具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；

散热构件，附着到所述半导体芯片的所述无效表面；

包封剂，覆盖所述半导体芯片和所述散热构件中的每个的至少部分；以及

连接构件，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层，

其中，所述散热构件具有比所述半导体芯片的厚度大的厚度。

2.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述半导体芯片的所述厚度是所述散热构件的所述厚度的0.4倍至0.6倍。

3.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述散热构件通过粘合膜附着到所述半导体芯片的所述无效表面。

4.根据权利要求3所述的扇出型半导体封装件，其中，所述粘合膜是具有1μm至10μm的厚度的裸片附着膜。

5.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述散热构件是铜块。

6.根据权利要求5所述的扇出型半导体封装件，其中，有机涂层形成在所述铜块的表面上。

7.根据权利要求6所述的扇出型半导体封装件，其中，所述有机涂层包括硅烷涂层。

8.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述包封剂包括绝缘树脂和无机填料，并且

所述包封剂中的无机填料的含量为60wt％至80wt％。

9.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括：

散热图案层，设置在所述包封剂上；以及

散热过孔，穿过所述包封剂的至少部分并使所述散热图案层和所述散热构件彼此连接。

10.根据权利要求9所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括：

增强层，设置在所述包封剂和所述散热图案层之间；以及

覆盖层，设置在所述增强层上并覆盖所述散热图案层的至少部分，

其中，所述增强层具有比所述包封剂和所述覆盖层的弹性模量大的弹性模量。

11.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括具有通孔的芯构件，

其中，所述半导体芯片和所述散热构件设置在所述通孔中，并且

所述包封剂覆盖所述芯构件、所述半导体芯片和所述散热构件的至少部分，并填充所述通孔的至少部分。

12.根据权利要求11所述的扇出型半导体封装件，其中，所述芯构件包括多个布线层，并且

所述芯构件的所述多个布线层通过所述连接构件的所述重新分布层电连接到所述半导体芯片的所述连接焊盘。

13.根据权利要求12所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括：

背侧布线层，设置在所述包封剂上；以及

背侧过孔，穿过所述包封剂的至少部分并使所述背侧布线层和所述芯构件的所述多个布线层中的最上面的布线层彼此电连接。

14.根据权利要求13所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括：

增强层，设置在所述包封剂和所述背侧布线层之间；以及

覆盖层，设置在所述增强层上并覆盖所述背侧布线层的至少部分，

其中，所述增强层具有比所述包封剂和所述覆盖层中的每个的弹性模量大的弹性模量。