[发明专利]图像拾取元件、成像装置及成像方法有效
申请号: | 201811257975.7 | 申请日: | 2013-11-13 |
公开(公告)号: | CN109379512B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 上木伸夫;黑川益义;矢崎阳一;青木真 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H04N3/14 | 分类号: | H04N3/14;H04N5/232;H04N5/235;H04N5/335;H04N5/357;H04N5/369;H04N5/378;H04N19/107;H04N19/117;H04N19/12;H04N19/124;H04N19/13;H04N19/136;H04N1 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;张维克 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 拾取 元件 成像 装置 方法 | ||
为了提高成像性能,提供一种成像设备,包括:图像捕获单元,被配置为检测入射光并产生原始图像数据;压缩单元,被配置为压缩原始图像数据以将数据量小于原始图像数据的数据量的编码数据输出到用于处理编码数据的处理单元;以及其中,图像捕获单元和压缩单元被配置在相同的半导体封装内;其中,图像捕获单元被制造在第一半导体衬底上,压缩单元被制造在第二半导体衬底上,并且总线将位于第二半导体衬底上的压缩单元的电路连接到处理单元的电路。
本发明申请为申请日为2013年11月13日并于2015年5月13日进入中国国家阶段的发明名称为“图像拾取元件、成像装置及成像方法”的第201380059357.0号发明专利申请的分案申请。
技术领域
本公开涉及图像拾取元件、成像装置及成像方法,尤其涉及能够提高成像性能的图像拾取元件、成像装置及成像方法。
背景技术
在现有技术中,公知通过封装其中形成有能够以光电方式转换入射光的光接收单元半导体衬底来模块化的图像传感器(图像拾取元件)。
这种模块化的图像传感器通过光电方式转换入射光,以产生图像数据,并在未压缩状态下(例如,作为原始数据)将图像数据输出到主板。此外,利用主板上的电路、针对图像数据进行诸如去马赛克这样的信号处理或者缺陷校正(例如,参照JP 2009-130562 A)。
[引用列表]
[专利文献]
[PTL 1]
JP 2009-130562 A
发明内容
[技术问题]
近年来,要求提高图像传感器的成像性能。例如,要求增加图像的分辨率以及从静止图像的捕获到记录的处理速度。此外,要求增加连续拍摄的数量、连续拍摄的速度以及移动图片的帧率。此外,要求同时获得静止图像和移动图片两者。
当成像性能提高时,每帧的图像数据量增加。同时,以更快的速度产生用于单个帧的图像数据。也就是说,必须以更快的速度处理更大的数据量。
但是,在现有技术公知的方法中,在图像传感器与主板之间的接口中的通信波带不足,因此难以提高图像传感器的成像性能。
在现有技术中,为了将更大的数据量从图像传感器传输到主板,必须增加图像传感器的I/O引脚数量。但是,在这种情况下,图像传感器的制造成本会增加。
考虑到这些问题,本技术提供能够提高成像性能的图像拾取元件、成像装置及成像方法。
[问题的解决方案]
根据本技术的一个方面,提供一种成像设备,包括:图像捕获单元,被配置为检测入射光并产生原始图像数据;压缩单元,被配置为压缩原始图像数据以将数据量小于原始图像数据的数据量的编码数据输出到用于处理编码数据的处理单元;以及其中,图像捕获单元和压缩单元被配置在相同的半导体封装内;其中,图像捕获单元被制造在第一半导体衬底上,压缩单元被制造在第二半导体衬底上,并且总线将位于第二半导体衬底上的压缩单元的电路连接到处理单元的电路。
根据本技术的另一个方面,提供一种成像方法,包括:检测入射光;产生原始图像数据;以及使用制造在第二半导体衬底上的电路压缩原始图像数据以将数据量小于原始图像数据的数据量的编码数据输出到制造在第一半导体衬底上的电路,用于进一步处理所述编码数据;以及其中,制造在第一半导体衬底上的电路和制造在第二半导体上的电路被配置在相同的半导体封装内,其中总线将位于第二半导体衬底上的用于输出编码数据的电路连接到位于第一半导体衬底上的用于进一步处理编码数据的电路。
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