[发明专利]顶部发光有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201811258407.9 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN109979964B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 李在晟;李晙硕;俞承沅 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 顶部 发光 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
辅助线,布置在基板上;
绝缘膜,位于所述辅助线上;
辅助阴极,布置在所述绝缘膜上并且通过穿过所述绝缘膜的辅助线接触孔连接到所述辅助线;
钝化膜,覆盖所述辅助阴极;
平坦化膜,层叠在所述钝化膜上;
底切开口,暴露所述辅助阴极的一个端部;
底切区域,通过去除在所述辅助阴极的暴露的所述端部下面的所述绝缘膜,在所述底切开口内形成;
在所述平坦化膜上的连接端子,延伸到所述底切开口并与所述辅助阴极的暴露的所述端部接触;
有机发光层,层叠在所述连接端子的表面上,并且不被涂覆到所述底切区域并暴露所述连接端子的与所述辅助阴极的暴露的所述端部接触的一侧;以及
阴极,层叠在所述有机发光层上并与所述连接端子的未被所述有机发光层覆盖的所述一侧接触。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述底切开口包括:
所述平坦化膜、所述钝化膜和所述绝缘膜的侧壁被蚀刻的一侧;以及
暴露所述辅助阴极的所述一个端部的另一侧,其中,所述底切区域形成在暴露的所述端部下方。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,还包括虚设连接端子,所述虚设连接端子布置在所述底切区域中并与所述阴极直接接触。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,还包括:
在所述基板上的遮光层,位于与所述辅助线相同的层上;
在所述遮光层上的薄膜晶体管,位于所述钝化膜下方;
像素接触孔,形成在所述平坦化膜中并暴露所述薄膜晶体管的一部分;
在所述平坦化膜上的阳极,所述阳极经由所述像素接触孔连接到所述薄膜晶体管;以及
堤,所述堤以比所述底切开口更大的尺寸暴露整个所述底切开口,并露出发光区域,所述发光区域暴露所述阳极的中心,
其中,所述有机发光层涂覆在整个所述发光区域上,所述阴极层叠在所述发光区域中的所述有机发光层上,所述阳极、所述有机发光层和所述阴极重叠以在所述发光区域中形成有机光发光二极管。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其中,所述连接端子包括与所述阳极相同的材料。
6.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器,还包括:
缓冲层,覆盖所述遮光层和所述辅助线,并层叠在所述绝缘膜下方;以及
所述薄膜晶体管的漏极,位于所述绝缘膜上方,
其中所述辅助阴极形成在所述绝缘膜上并包括与所述漏极相同的材料。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,在所述底切开口中,所述辅助阴极的所述一个端部、所述连接端子的所述一侧和所述阴极通过直接接触而彼此物理地和电学地连接。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述辅助线和所述辅助阴极由比所述阴极的材料电阻率低的金属材料形成。
9.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其中,所述辅助线、所述辅助阴极和所述连接端子位于围绕所述发光区域的非发光区域中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的