[发明专利]顶部发光有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201811258407.9 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN109979964B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 李在晟;李晙硕;俞承沅 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 顶部 发光 有机 发光二极管 显示器 | ||
本发明涉及顶部发光有机发光二极管显示器,包括:基板、辅助线、绝缘膜、辅助阴极、钝化膜、平坦化膜、底切开口、底切区域、连接端子、有机发光层和阴极。辅助线布置在基板上。绝缘膜位于辅助线上。辅助阴极布置在绝缘膜上并连接到辅助线。钝化膜覆盖辅助阴极。平坦化膜层叠在钝化膜上。底切开口暴露辅助阴极的一个端部。通过去除辅助阴极暴露的端部下面的绝缘膜,在底切开口内形成底切区域。平坦化膜上的连接端子延伸到底切开口并与辅助阴极暴露的端部接触。有机发光层层叠在连接端子的表面上,并且不被涂覆到底切区域并暴露连接端子的与辅助阴极暴露的端部接触的侧面。阴极层叠在有机发光层上并且与连接端子的未被有机发光层覆盖的侧面接触。
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年12月27日提交的韩国专利申请第10-2017-0181345号的权益,出于所有的目的,该申请通过引用并入本文中,如同在本文中详细记载一样。
技术领域
本发明涉及顶部发光(top-emissive)有机发光二极管显示器。更具体地,本发明涉及一种包括用于降低阴极表面电阻的辅助阴极,并且具有被配置为直接连接辅助阴极和阴极的底切结构(under-cut structure)的顶部发光有机发光二极管显示器。
背景技术
最近,正在开发比阴极射线管(CRT)体积更小且重量更轻的各种平板显示器。这些平板显示器的示例包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)、电致发光器件(EL)等。
电致发光显示器根据用于发光层的材料大致分为无机电致发光显示器和有机发光二极管显示器,并且由于它们的自发光元件而提供诸如快速响应时间、高发光效率、高亮度和宽视角的几个优点。值得注意的是,对具有高能量效率和较小的漏电流并且通过电流控制促进灰度表示的有机发光二极管显示器的需求快速增长。
在有机发光二极管显示器中,在显示面板的整个表面上涂覆具有基电压的阴极。尽管当阴极由具有低电阻率的金属材料制成时没有问题,但是如果阴极由透明导电材料制成,则由于其高表面电阻,可能存在图像质量问题。
例如,如同在顶部发光显示器中,如果阴极包括透明导电材料或具有比金属更高电阻率的材料(例如氧化铟锡或氧化铟锌),则表面电阻增加。结果,阴极的电压在显示面板的整个区域上可能不是恒定的。显示装置的整个屏幕上的不均匀亮度可能成为更重要的问题,尤其是在大面积有机发光二极管显示器的开发中。
发明内容
本发明致力于克服上述问题,并且本发明的一个方面是提供一种大面积有机发光二极管显示器,由于阴极和辅助阴极之间直接接触,表面电阻低,从而这种大面积有机发光二极管显示器具有良好显示质量。本发明的另一方面是提供一种大面积有机发光二极管显示器,其包括辅助阴极并简化制造工艺。
本发明的示例性实施例提供了一种有机发光二极管显示器,其包括基板、辅助线、绝缘膜、辅助阴极、钝化膜、平坦化膜、底切开口、底切区域(under-area)、连接端子、有机发光层和阴极。所述辅助线布置在所述基板上。所述绝缘膜位于所述辅助线上。所述辅助阴极布置在所述绝缘膜上并通过穿过所述绝缘膜的辅助线接触孔连接到所述辅助线。所述钝化膜覆盖所述辅助阴极。平坦化膜层叠在所述钝化膜上。所述底切开口暴露出所述辅助阴极的一个端部。通过去除所述辅助阴极的暴露的所述端部下面的所述绝缘膜,在所述底切开口内形成所述底切区域。所述平坦化膜上的所述连接端子延伸到所述底切开口并与所述辅助阴极的暴露的所述端部接触。所述有机发光层层叠在所述连接端子的表面上,并且不被涂覆到所述底切区域并暴露所述连接端子的与所述辅助阴极的暴露的所述端部接触的侧面。所述阴极层叠在所述有机发光层上并且与所述连接端子的未被所述有机发光层覆盖的所述侧面接触。
在本实施例中,所述底切开口包括:所述平坦化膜、所述钝化膜和所述绝缘膜的侧壁被蚀刻的一侧;以及暴露所述辅助阴极的所述一个端部的另一侧,其中,所述底切区域形成在暴露的所述端部下方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的