[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

接收一工件，其包括一基底、一多层反射层、一盖层与一吸收剂层，该基底具有一低热膨胀系数材料，该多层反射层在该基底的上方，该盖层在该多层反射层的上方，该吸收剂层在该盖层的上方，其中该吸收剂层包括一第一材料且包括一顶部与一底部；

施以第一图形化，图形化该吸收剂层以提供对应于一晶圆上的电路图形的多个第一沟槽；

施以第二图形化，图形化该吸收剂层、该盖层与该多层反射层，以提供对应于该晶圆上的一晶粒边界区的多个第二沟槽，借此提供一极紫外线光刻掩模；以及

使用一或多个氧化延迟化学元素对该极紫外线光刻掩模进行处理，借此使该吸收剂层的该顶部成为一处理后的顶部，其中该吸收剂层的该处理后的顶部包括一第二材料，该第二材料较该第一材料不易被氧化。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该极紫外线光刻掩模的处理，包括对该极紫外线光刻掩模施加氮等离子体。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中以实质上等于零的偏功率施加该氮等离子体。

4.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中该吸收剂层包括钽，且对该极紫外线光刻掩模施加该氮等离子体而使在该吸收剂层的该处理后的顶部中的N比Ta的比值大于或等于1.25。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中上述一或多个化学元素包括氟。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括：

使用该极紫外线光刻掩模来使一或多个晶圆曝光；以及

使用去离子水来清洁该极紫外线光刻掩模。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，还包括：

检查该极紫外线光刻掩模的表面；以及

在发现该极紫外线光刻掩模具有大于一尺寸阈值的粒子的情况，使用上述一或多个化学元素对该极紫外线光刻掩模进行处理，并使用另一清洁药剂来清洁该极紫外线光刻掩模，该另一清洁药剂提供的氧化能力大于去离子水的氧化能力。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中该另一清洁药剂包括过氧化氢、硫酸、氢氟酸或硫酸和过氧化氢混合物。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该第一图形化与该第二图形化各自包括：

在该工件的上方涂布一光刻胶层；

使用电子束使该光刻胶层曝光；

使该光刻胶层显影以形成多个光刻胶图形；以及

使用所述光刻胶图形作为一蚀刻掩模，对该工件进行蚀刻。

10.一种半导体装置的制造方法，包括：

接收一工件，其包括一基底、一多层反射层、一盖层与一吸收剂层，该基底具有一低热膨胀系数材料，该多层反射层在该基底的上方，该盖层具有钌且在该多层反射层的上方，该吸收剂层具有钽且在该盖层的上方，其中该吸收剂层包括一第一部分与第二部分；

图形化该吸收剂层、该盖层与该多层反射层，以提供对应于一晶圆上的电路图形的多个第一沟槽以及对应于该晶圆上的一晶粒边界区的多个第二沟槽，借此提供一极紫外线光刻掩模；以及

使用氮等离子体对该极紫外线光刻掩模进行处理，借此使该吸收剂层的至少该第一部分成为一处理后的第一部分，其中该吸收剂层的该处理后的第一部分中的氮的数量大于该吸收剂层的该第二部分中的氮的数量。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中以实质上等于零的偏功率施加该氮等离子体，而使该盖层实质上未被该氮等离子体改变。

12.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中施加该氮等离子体的时间是在30秒至120秒的范围、来源电压是在350瓦特至1000瓦特的范围、且压力是在1mtorr至10mtorr的范围。