[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

一种方法，包括：接收一工件，其包括具有一低热膨胀系数材料的一基底、在上述基底的上方的一多层反射层、在上述多层反射层的上方的一盖层与在上述盖层的上方的一吸收剂层。上述方法还包括：图形化上述吸收剂层以提供对应于一晶圆上的电路图形的多个第一沟槽；以及图形化上述吸收剂层、上述盖层与上述多层反射层，以提供对应于上述晶圆上的一晶粒边界区的多个第二沟槽，借此提供一极紫外线光刻掩模。上述方法还包括：使用不同化学元素对上述极紫外线光刻掩模进行表面改质处理，避免上述吸收剂层的曝露表面受到氧化。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置的制造系统与方法，特别涉及制造、使用及处理极紫外线光刻(extreme ultraviolet lithography；EUVL)掩模。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)工业已历经了快速的成长。在集成电路革命的过程中，通常是随着功能密度(例如：每单位芯片面积的互连的装置数量)的增加而缩减几何尺寸(例如：使用一工艺所能形成的最小构件(或是线))。这样的尺寸缩减的过程通常会通过增加制造效率与降低关连的成本而获得效益。这样的尺寸缩减亦会增加所加工及制造的集成电路的复杂度，而且为了实现这样的进步，需要在集成电路的制造方面有同样的发展。

例如，极紫外线(extreme ultraviolet lithography；EUV)光刻已用来支援小尺寸装置的关键尺寸(critical dimension；CD)需求。极紫外线光刻使用的扫描器是使用在极紫外线区域的辐射，其波长为约1-100nm。有些极紫外线扫描器提供4×缩小投影晒像(projection printing)，与一些光学扫描器类似，除了极紫外线扫描器是使用反射光学系统而不是折射光学系统，例如使用反射镜而不是透镜。用于极紫外线光刻的掩模(亦称为极紫外线光刻掩模或EUVL掩模)面临了新的挑战。例如，极紫外线光刻掩模一般是包括一图形化的吸收剂层，上述图形化的吸收剂层是在一多层反射层的上方，其中上述图形化的吸收剂层提供用以使晶圆曝光的图形。上述图形化的吸收剂层在周遭环境中或在掩模清洁工艺的过程中，会变得容易受到氧化。这样的氧化会对使用此极紫外线光刻掩模曝光的晶圆上的关键尺寸，造成不良影响。因此，虽然现有的光刻方法通常已达堪用程度，但未在所有方面都令人满意。

发明内容

本发明实施例的一涉及一种半导体装置的制造方法。上述半导体装置的制造方法，包括：接收一工件，其包括一基底、一多层反射层、一盖层与一吸收剂层，上述基底具有一低热膨胀系数材料，上述多层反射层在上述基底的上方，上述盖层在上述多层反射层的上方，上述吸收剂层在上述盖层的上方。上述半导体装置的制造方法还包括：施以第一图形化，图形化上述吸收剂层以提供对应于一晶圆上的电路图形的多个第一沟槽；以及施以第二图形化，图形化上述吸收剂层、上述盖层与上述多层反射层，以提供对应于上述晶圆上的一晶粒(die)边界区的多个第二沟槽，借此提供一极紫外线光刻(extreme ultravioletlithography；EUVL)掩模。上述半导体装置的制造方法还包括：使用一或多个化学元素对上述极紫外线光刻掩模进行处理，以避免上述吸收剂层的曝露表面受到氧化。

另一个本发明实施例涉及一种半导体装置的制造方法。上述半导体装置的制造方法，包括：接收一工件，其包括一基底、一多层反射层、一盖层与一吸收剂层，上述基底具有一低热膨胀系数材料，上述多层反射层在上述基底的上方，上述盖层具有钌且在上述多层反射层的上方，上述吸收剂层具有钽且在上述盖层的上方。上述半导体装置的制造方法还包括：图形化上述吸收剂层、上述盖层与上述多层反射层，以提供对应于一晶圆上的电路图形的多个第一沟槽以及对应于上述晶圆上的一晶粒(die)边界区的多个第二沟槽，借此提供一极紫外线光刻(extreme ultraviolet lithography；EUVL)掩模。上述半导体装置的制造方法还包括：使用氮等离子体对上述极紫外线光刻掩模进行表面处理。