[发明专利]半导体光放大器芯片、光接收子组件和光模块

权利要求书

1.一种半导体光放大器芯片，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的有源区；所述有源区包括N个子有源区；N为大于或等于2的整数；

位于所述有源区上的光波导，所述光波导从所述半导体光放大器芯片的入射端延伸到所述半导体光放大器芯片的出射端；

以及，沿所述光波导的长度方向覆盖所述光波导上的N个电极；相邻两个所述电极之间电隔离，所述光波导的长度方向为所述光波导从所述半导体光放大器芯片的入射端向所述半导体光放大器芯片的出射端的延伸方向；

其中，所述N个电极和所述N个子有源区一一对应，沿垂直于所述有源区的方向，每一所述电极在所述有源区内的投影位于对应的子有源区内；

所述N个子有源区中，每个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号的大小进行调节，其中，至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理；

每个所述子有源区具有开启和关闭两种工作状态，当所述子有源区处于开启状态时，所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理，当所述子有源区处于关闭状态时，所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行吸收处理。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述N个子有源区中，至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行吸收处理。

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，沿所述光波导的长度方向，所述N个电极中，至少两个所述电极的长度不等。

4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述N个电极中，长度最长的电极对应的子有源区用于对在所述长度最长的电极覆盖的部分光波导内传输的光信号进行放大处理。

5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述N个电极中，长度最短的电极对应的子有源区用于对在所述长度最短的电极覆盖的部分光波导内传输的光信号进行放大处理或吸收处理。

6.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述N个电极中，除所述长度最长的电极之外的其它每一电极对应的子有源区用于对在对应电极覆盖的部分光波导内传输的光信号进行放大处理或吸收处理。

7.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述长度最长的电极靠近所述半导体光放大器芯片的出射端。

8.一种光接收子组件，其特征在于，包括第一透镜、第二透镜和如权利要求1至7任一项所述的半导体光放大器芯片；

所述第一透镜用于汇聚入射的光信号，并将汇聚的光信号耦合到所述半导体光放大器芯片；

所述半导体光放大器芯片用于对从所述第一透镜处耦合的光信号进行功率调节，并将功率调节后的光信号耦合到所述第二透镜；

所述第二透镜用于将从所述半导体光放大器处耦合的光信号进行汇聚。

9.根据权利要求8所述的光接收子组件，其特征在于，所述光接收子组件还包括光探测器，所述第二透镜还用于将汇聚后的光信号耦合到所述光探测器，所述光探测器用于将收集到的光信号转换为电信号，实现光电信号的转换。

10.根据权利要求8或9所述的光接收子组件，其特征在于，所述光接收子组件还包括：电路板，所述电路板用于实现多个元部件与外部控制电路之间的电信号传输。

11.一种光模块，其特征在于，包括：控制电路和如权利要求8-10任一项所述的光接收子组件，所述控制电路一端分别连接位于所述芯片内的N个电极，用于分别向所述N个电极提供驱动信号，以驱动每一电极对应的有源区的子有源区对光信号进行放大或吸收处理。