[发明专利]半导体光放大器芯片、光接收子组件和光模块

说明书

本申请公开了一种半导体光放大器芯片，该芯片包括依次位于衬底上的有源区、光波导和N个相互电隔离的电极。其中，有源区包括N个子有源区，并且电极和子有源区一一对应。该多个子有源区中，每个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号的大小进行调节，其中，至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理。如此，本申请提供的半导体光放大器芯片可以通过各个子有源区对光信号大小的调节程度来满足较大的动态范围的需求。此外，本申请还提供了一种光接收子组件以及光模块。

技术领域

本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种半导体光放大器芯片、包含该半导体光放大器芯片的光接收子组件以及光模块。

背景技术

半导体光放大器(Semiconductor Optical Amp l ifier，SOA)是以半导体材料作为增益介质，能对外来光子进行放大或提供增益的光电子器件。现有的半导体光放大器芯片一般仅能实现对光信号的增益，而不能满足较大的动态范围需求。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种半导体光放大器芯片、包含该半导体光放大器芯片的光接收子组件以及光模块。

为了达到上述发明目的，本申请采用了如下技术方案：

本申请的第一方面提供了一种半导体光放大器芯片，包括：

衬底。

位于所述衬底上的有源区，所述有源区包括N个子有源区；N为大于或等于2的整数。

位于所述有源区上的光波导，所述光波导从所述半导体光放大器芯片的入射端延伸到所述半导体光放大器芯片的出射端。

以及，沿所述光波导的长度方向覆盖所述光波导上的N个电极。相邻两个所述电极之间电隔离。所述光波导的长度方向为所述光波导从所述半导体光放大器芯片的入射端向所述半导体光放大器芯片的出射端的延伸方向。其中，所述N个电极和所述N个子有源区一一对应。沿垂直于所述有源区的方向，每一所述电极在所述有源区内的投影位于对应的子有源区内。所述N个子有源区中，每个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号的大小进行调节。其中，至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理。

基于本申请的第一方面提供的半导体光放大器芯片包括依次位于衬底上的有源区、光波导和N个相互电隔离的电极。其中，有源区包括多个子有源区，并且电极和子有源区一一对应。该多个子有源区中，每个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号的大小进行调节，其中，至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理。如此，本申请提供的半导体光放大器芯片可以通过各个子有源区对光信号大小的调节程度来满足较大的动态范围的需求。

在一种可能的实现方式中，所述N个子有源区中，至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行吸收处理。

在本实施例提供的半导体光放大器芯片,部分子有源区对对应电极覆盖的光波导内传出的光信号进行放大处理，且部分子有源区对对应电极覆盖的光波导内传出的光信号进行吸收处理。应当知道的是，当部分子有源区对对应电极覆盖的光波导内传出的光信号进行吸收处理时，该光波导内传输的光信号能够产生一定程度的衰减，也即，能够起到可变光衰减器的作用。因此，本实施例提供的半导体光放大器芯片能够实现现有技术中可变光衰减器和半导体光放大器共同实现的功能，且相对于现有技术来说，本实施例提供的半导体光放大器芯片尺寸较小，能够满足光模块小尺寸要求。

在一种可能的实现方式中，沿所述光波导的长度方向，所述N个电极中，至少两个所述电极的长度不等。该实现方式能够使半导体光放大器芯片更好地满足较大的动态范围的需求。

在一种可能的实现方式中，所述N个电极中，长度最长的电极对应的子有源区用于对在所述长度最长的电极覆盖的部分光波导内传输的光信号进行放大处理。