[发明专利]半导体器件与其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供具有源区和/或漏区的半导体预备体，所述半导体预备体为锗基半导体预备体，且所述源区和/或所述漏区的掺杂杂质为第一N型杂质；

在所述源区和/或所述漏区的裸露表面上设置预外延层，且所述预外延层包括基体材料和掺杂在所述基体材料中的第二N型杂质，所述基体材料包括非Ge的第IV族元素，所述第二N型杂质的掺杂浓度在1.0×10²⁰cm^-3～9.0×10²¹cm^-3之间；

向所述预外延层中注入第三杂质，使得所述预外延层的远离所述半导体预备体的部分非晶化，从而使得所述预外延层形成外延层；

在所述外延层的远离所述源区和/或所述漏区的表面上设置电极层；

对设置有电极层的所述半导体预备体进行热处理，形成源接触和/或漏接触。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第三杂质包括第三N型杂质，向所述预外延层中注入所述第三杂质的过程包括：

向所述预外延层中注入所述第三N型杂质，使得所述预外延层的远离所述半导体预备体的第一部分非晶化，且使得所述预外延层中的N型杂质的掺杂浓度为0.8～1.0C，其中，C为所述预外延层中的N型杂质的固溶度；

对注入所述第三N型杂质的所述预外延层进行退火。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第三杂质包括第三非N型杂质，向所述预外延层中注入所述第三杂质的过程还包括：

向所述预外延层中注入第三非N型杂质，至少使得所述预外延层的远离所述半导体预备体的第二部分非晶化，且所述第三非N型杂质包括第IV族元素。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第三杂质包括第三N型杂质和第三非N型杂质，向所述预外延层中注入所述第三杂质的过程还包括：

向所述预外延层中注入所述第三N型杂质，使得所述预外延层的远离所述半导体预备体的第一部分非晶化，且使得所述预外延层中的N型杂质的掺杂浓度为0.8～1.0C，其中，C为所述预外延层中的N型杂质的固溶度；

对注入所述第三N型杂质的所述预外延层进行退火；

向退火后的所述预外延层中注入第三非N型杂质，至少使得所述预外延层的远离所述半导体预备体的包括第一部分的第二部分非晶化，且所述第三非N型杂质包括第IV族元素。

5.根据权利要求3或4所述的制作方法，其特征在于，在温度-100℃～25℃之间时，向所述预外延层中注入所述第三非N型杂质，优选所述基体材料包括硅，所述第三非N型杂质包括硅和/或锗。

6.根据权利要求2或4中任一项所述的制作方法，其特征在于，在温度-100℃～25℃之间时，向所述预外延层中注入所述第三N型杂质。

7.根据权利要求2或4中任一项所述的制作方法，其特征在于，采用动态表面退火工艺实施所述退火，优选所述退火的温度在500～1200℃之间。

8.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件由权利要求1至7中任一项所述的制作方法制作而成。

9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体预备体，具有源区和/或漏区，所述半导体预备体为锗基半导体预备体，且所述源区和/或所述漏区的掺杂杂质为第一N型杂质；

外延层，位于所述源区和/或所述漏区的表面上，所述外延层的远离所述半导体预备体的一侧具有非晶化的部分，所述外延层包括基体材料和掺杂在所述基体材料中的第二N型杂质，所述基体材料包括非Ge的第IV族元素，所述第二N型杂质的掺杂浓度在1.0×10²⁰cm^-3～9.0×10²¹cm^-3之间；

电极层，位于所述外延层的远离所述源区和/或所述漏区的表面上，一个所述电极层和一个所述外延层形成源接触或漏接触。