[发明专利]一种磁场探测器在审
| 申请号： | 201811264285.4 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN108983122A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属导体 磁场探测器 导电有机物 肖特基结 肖特基势垒 磁场影响 容置凹槽 绝缘层 电场 绝缘导线 左右两侧 磁场 填充 测量 外围 检测 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁场探测器，其特征在于:包括N型半导体（1），设置于N型半导体（1）上方的导电有机物层（2），所述N型半导体（1）与导电有机物层（2）接触面中部设置有容置凹槽，并且该容置凹槽内填充有金属导体（4），并且金属导体（4）外围包裹有绝缘层（3），所述金属导体（4）的左右两侧还连接有绝缘导线（5）。
2.如权利要求1所述的一种磁场探测器，其特征在于：所述容置凹槽为长方形。
3.如权利要求1或2所述的一种磁场探测器，其特征在于：所述导电有机物层（2）为聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、聚双炔中的任意一种。
4.如权利要求1所述的一种磁场探测器，其特征在于：所述N型半导体（1）为ZnO、 TiO2 、V2O5中的任意一种。
5.如权利要求1所述的一种磁场探测器，其特征在于：所述绝缘导线（5）外围包裹有绝缘材料。
6.如权利要求1所述的一种磁场探测器，其特征在于：所述N型半导体（1）的下方、导电有机物层（2）的上方还设置有电极（6）。
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