[发明专利]一种磁场探测器

说明书

本发明涉及一种磁场探测器，包括N型半导体，设置于N型半导体上方的导电有机物层，所述N型半导体与导电有机物层接触面中部设置有容置凹槽，并且该容置凹槽内填充有金属导体，并且金属导体外围包裹有绝缘层，所述金属导体的左右两侧还连接有绝缘导线；该磁场探测器，使用导电有机物与N型半导体组成的肖特基结，不会受磁场影响，通过磁场影响包裹在肖特基结内包裹的金属导体，使得金属导体产生与肖特基结相反的电场，从而对肖特基势垒产生影响，通过测量肖特基势垒的变化从而对磁场进行检测。

技术领域

本发明涉及磁场探测技术领域，具体涉及一种磁场探测器。

背景技术

磁场测量技术已经广泛应用于工业探伤、生物医学、军事技术、空间科学等领域，如磁性材料的研究、地质勘探，磁导航、同位素分离、电子束和离子束加工装置以及人造卫星等，成为一种不可或缺的测量技术手段 ；磁场测量技术的发展也日新月异，目前，常用的磁场测量方法有磁通门法，霍尔效应法，磁阻效应法，磁共振法，超导效应法和磁光效应法等 ；每种方法测量的精度，测量磁场强度范围各不相同；现有基于霍尔效应法的磁场探测器对于磁场的探测，容易受到环境因素的影响，特别是容易受到温度的影响，而且输出的信号是非线性输出，需要进行非线性和温度矫正。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的是解决现有基于霍尔效应法的磁场探测器存在的不足。

为此，本发明提供了一种磁场探测器，包括N型半导体，设置于N型半导体上方的导电有机物层，所述N型半导体与导电有机物层接触面中部设置有容置凹槽，并且该容置凹槽内填充有金属导体，并且金属导体外围包裹有绝缘层，所述金属导体的左右两侧还连接有绝缘导线。

所述容置凹槽为长方形。

所述导电有机物层为聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、聚双炔中的任意一种。

所述N型半导体为ZnO、 TiO₂ 、V₂O₅中的任意一种。

所述绝缘导线外围包裹有绝缘材料。

所述N型半导体的下方、导电有机物层的上方还设置有电极。

本发明的有益效果：本发明提供的这种磁场探测器，不仅结构简单，而且具有更好的抗干扰性，解决了现有的基于霍尔效应法的磁场探测器在进行磁场的探测时，容易环境因素的影响，而且输出的信号是非线性输出，需要进行非线性和温度矫正的缺陷，使用导电有机物与N型半导体组成的肖特基结，不会受磁场影响，通过磁场影响包裹在肖特基结内包裹的金金属导体，使得金属导体产生与肖特基结相反的电场，从而对肖特基势垒产生影响，通过测量肖特基势垒的变化从而对磁场进行检测。

以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是磁场探测器结构示意图。

图2是磁场探测器的电场分布示意图。

图中：1、N型半导体；2、导电有机物层；3、绝缘层；4、金属导体；5、绝缘导线；6、电极。

具体实施方式

为进一步阐述本发明达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及实施例对本发明的具体实施方式、结构特征及其功效，详细说明如下。

实施例1