[发明专利]静电放电保护电路

权利要求书

1.一种静电放电保护(electrostatic discharge，ESD)电路，其特征在于，包括：

静电放电晶体管，耦接于参考电压端，所述参考电压端用以提供参考电压至所欲保护的电路；

至少一电压缓减晶体管，耦接于电压输入端及所述静电放电晶体管之间，所述电压输入端用以提供输入电压至所欲保护的所述电路；

控制电路，用以在正常操作期间截止所述静电放电晶体管，及在正电静电放电震击(positive ESD zapping)期间导通所述静电放电晶体管；及

分压电路，用以根据所述电压输入端所提供的所述输入电压产生至少一分压以在所述正常操作期间及所述正电静电放电震击期间导通所述至少一电压缓减晶体管。

2.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于所述分压电路包括：

第一参考电压节点，耦接于所述至少一电压缓减晶体管中的第一电压缓减晶体管的控制端，用以提供第一分压；及

第一组二极管，串联于所述电压输入端及所述第一参考电压节点之间。

3.如权利要求2所述的静电放电保护电路，其特征在于所述分压电路还包括：

第一电容，与所述第一组二极管并联。

4.如权利要求2所述的静电放电保护电路，其特征在于所述控制电路包括：

第二电容，具有第一端耦接于所述第一参考电压节点，及第二端耦接于所述静电放电晶体管的控制端。

5.如权利要求4所述的静电放电保护电路，其特征在于所述第二电容系由金氧半晶体管实作。

6.如权利要求4所述的静电放电保护电路，其特征在于所述控制电路还包括：

瞬态电阻，耦接于所述第二电容的所述第二端及所述参考电压端之间。

7.如权利要求2所述的静电放电保护电路，其特征在于所述分压电路还包括：

第二参考电压节点，耦接于所述至少一电压缓减晶体管中的第二电压缓减晶体管的控制端，用以提供第二分压；及

第二组二极管，串联于所述第一参考电压节点及所述第二参考电压节点之间。

8.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于所述分压电路还包括：

第一参考电压节点，耦接于所述至少一电压缓减晶体管中的第一电压缓减晶体管的控制端，用以提供第一分压；

第一电阻，耦接于所述电压输入端及所述第一参考电压节点之间；及

第二电阻，耦接所述第一参考电压节点及所述参考电压端之间。

9.如权利要求8所述的静电放电保护电路，其特征在于所述控制电路包括：

第一电容，具有第一端耦接于所述电压输入端，及第二端；及

第二电容，具有第一端耦接于所述第一电容的所述第二端，及第二端耦接于所述静电放电晶体管的控制端。

10.如权利要求9所述的静电放电保护电路，其特征在于所述控制电路还包括：

瞬态电阻，耦接于所述第二电容的所述第二端及所述参考电压端之间。

11.如权利要求8所述的静电放电保护电路，其特征在于所述分压电路还包括：

第二参考电压节点，耦接于所述第二电阻及所述至少一电压缓减晶体管中的第二电压缓减晶体管的控制端，用以提供第二分压；及

第三电阻，耦接于所述第二参考电压节点及所述参考电压端之间。

12.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于：

所述至少一电压缓减晶体管及所述静电放电晶体管是N型晶体管；

所述至少一电压缓减晶体管的基体端及所述静电放电晶体管的基体端是耦接于所述参考电压端；及

在负电静电放电震击期间，静电放电电流自所述参考电压端通过所述至少一电压缓减晶体管的所述基体端及所述静电放电晶体管的所述基体端，流至所述电压输入端。