[发明专利]一种功率器件的CSP封装方法

说明书

本发明公开的一种功率器件的CSP封装方法，其包括如下步骤：步骤1：完成晶圆前道制程步骤；步骤2：晶圆正面RDL制程，包括钝化和铜覆盖层制程步骤；步骤3：晶圆正面塑封步骤；步骤4：晶圆正面研磨步骤；步骤5：晶圆背面减薄及金属化步骤；步骤6：晶圆背面蚀刻步骤；步骤7：晶圆背面第一次介质沉积及蚀刻步骤；步骤8：晶圆背面金属溅射及蚀刻步骤；步骤9：晶圆背面第二次介质沉积及蚀刻步骤；步骤10：晶圆背面植球步骤；步骤11：切片步骤。本发明对晶圆正面的塑封层进行研磨，将铜覆盖层表面露出，有利于散热。本发明对晶圆的正面进行塑封，除了可以保护之外，还可以起到支撑的作用。

技术领域

本发明涉及半导体器件封装技术领域，特别涉及一种功率器件的CSP封装方法。

背景技术

通常地，功率器件的电极会在芯片的两侧。通常来讲，对于功率MOSFET 而言，芯片正面有源极(Source)和栅极(Gate)，背面有漏极(Drain)；对于功率双极器件而言，芯片的正面有发射极(Emitter)和基极(Base)，芯片背面有集电极(Collector)。

所谓CSP封装(Chip Scale Package)，通常都是用Solder Ball或Cu Pillar 之类的连接方式，直接将芯片表面的电极连接出来，因此要求所有的压焊点在芯片的一侧。

从以上描述来看，对于功率器件而言，要想用CSP的方式来封装，势必要把其中一个电极引到芯片的另一侧。之前的方法，用扩散区来将电极引到另一侧的结构。但此扩散区域需占用芯片面积，且长时间扩散也会改变器件中杂质分布，这样势必会重新设计产品的流程。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对现有的功率器件CSP封装方法所存在的不足而提供一种新的功率器件的CSP封装方法。

本发明所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现：

一种功率器件的CSP封装方法，包括如下步骤：

步骤1：完成晶圆前道制程步骤

在晶圆的正面形成若干包含源极和栅极的管芯，相邻管芯之间通过划片道隔离开来，在每一管芯的源极与栅极之间采用第一钝化层隔离开来；在晶圆的背面形成漏极；

步骤2：晶圆正面RDL制程步骤

首先在晶圆表面制作一层绝缘层即第二钝化层；然后在管芯的源极和栅极上形成一铜覆盖层，且源极及栅极上的铜覆盖层需跨过晶圆的划片道即在第二钝化层上有源极和栅极的铜覆盖层；

步骤3：晶圆正面塑封步骤

对晶圆的正面进行晶圆级塑封，其中塑封层覆盖在所述铜覆盖层的表面并且填充进源极和栅极的铜覆盖层间的间隙；

步骤4：晶圆正面研磨步骤

研磨晶圆正面的塑封层，让所述铜覆盖层表面露出，但是源极和栅极之间的塑封层依然保留；

步骤5：晶圆背面减薄及金属化步骤

对晶圆的背面进行减薄化处理，然后在减薄化处理后的晶圆背面进行金属化，形成一金属化层，所述金属化层与所述漏极电接触；

步骤6：晶圆背面蚀刻步骤

将晶圆背面对应到晶圆正面划线道的位置处蚀刻至晶圆正面的铜覆盖层位置；

步骤7：晶圆背面第一次介质沉积及蚀刻步骤

在晶圆背面进行介质沉积形成一第一介质绝缘层，所述第一介质绝缘层与铜覆盖层接触并覆盖在所述金属化层的表面；然后对每一管芯上的第一介质绝缘层进行光刻及蚀刻，暴露出管芯背面的漏极和划片道上的铜覆盖层以及源极和栅极的铜覆盖层；

步骤8：晶圆背面金属溅射及蚀刻步骤