[发明专利]Micro LED阵列器件的巨量转移装置及相关方法

权利要求书

1.一种Micro LED阵列器件的巨量转移装置，其特征在于，包括：

第一吸附装置和第二吸附装置；

所述第一吸附装置包括静电吸附装置、静电控制电路和位于所述静电吸附装置上的多个静电吸附孔；所述静电控制电路用于控制所述静电吸附孔的静电吸附力；

所述第二吸附装置包括转移接收装置、磁场控制电路和位于所述转移接收装置上的多个磁力吸附孔，所述磁场控制电路用于控制所述磁力吸附孔对应位置的磁场强度。

2.根据权利要求1所述的Micro LED阵列器件的巨量转移装置，其特征在于，所述转移接收装置上还设置有凹槽，所述凹槽用于容纳转移后的Micro LED芯片。

3.一种Micro LED阵列器件的巨量转移方法，其特征在于，应用在权利要求1-2任意一项所述的Micro LED阵列器件的巨量转移装置，对其中一个电极为磁性纳米薄膜的MicroLED阵列器件进行转移中，所述Micro LED阵列器件的巨量转移方法包括：

将所述Micro LED阵列器件的巨量转移装置的第一吸附装置移动至所述Micro LED阵列器件背离外延衬底的一侧，并将所述第一吸附装置的静电吸附孔与所述Micro LED一一对准；

对所述第一吸附装置中的静电控制电路通电，控制所述静电吸附孔的吸附力，以使所述Micro LED阵列器件被吸附在所述第一吸附装置上；

去除所述Micro LED阵列器件的外延衬底；

将吸附有所述Micro LED阵列器件的第一吸附装置移动至第二吸附装置的转移接收装置的一侧，将所述Micro LED阵列器件对准所述转移接收装置上的磁力吸附孔；

为所述第二吸附装置中的磁场控制电路通电，并停止为所述静电控制电路通电，以使所述Micro LED阵列器件在磁场作用下，被吸附至所述转移接收装置上。