[发明专利]Micro LED阵列器件的巨量转移装置及相关方法

说明书

本申请提供的一种Micro LED阵列器件及其制作方法、巨量转移装置及转移方法，通过在Micro LED阵列器件的外延衬底上形成磁性纳米薄膜层，作为Micro LED阵列器件的一个电极，从而能够直接采用磁力对Micro LED阵列器件进行吸附，而无需额外增加设置磁性层，避免了磁性层的制作以及去除的工艺，能够简化Micro LED阵列器件的转移方法，进而提高Micro LED巨量转移的效率。

技术领域

本发明涉及半导体器件制作技术领域，尤其涉及一种Micro LED阵列器件的巨量转移装置及相关方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)背光源的显示技术已广泛运用于各行各业。现有LED主要用于中大尺寸显示屏上。以55英寸4K电视为例，像素长宽约为200μm，而直下式背光的主流规格为3030(3mm×3mm)。

目前大多数发光二极管显示器像素间距为100微米以上，作为背光源尺寸远大于像素的尺寸无法成为点光源。只能以面光源搭配液晶与彩色滤光片的方式，实现高画质全彩效果。但是液晶显示会消耗大部分的光：光从离开背光模块，经过TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)、液晶、偏光片、彩色滤光片，然后到进入人眼，损失的光超过九成，大多数的光都在显示机壳里消耗掉了，光的利用率极差。

随着LED技术发展，直接利用LED作为发光显示像素成为可能，约50～60微米的Mini LED以及15微米及以下的Micro LED逐渐被广泛应用。

但是Micro LED制作过程中需要将Micro LED从最初的外延衬底上巨量转移到电路基板上，目前Micro LED技术发展的难点之一就在于Micro LED的巨量转移过程。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种Micro LED阵列器件的巨量转移装置及转移方法，利用磁力作用实现了Micro LED的巨量转移，该转移过程便于实现，提高转移效率。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种Micro LED阵列器件的巨量转移装置，包括：

第一吸附装置和第二吸附装置；

所述第一吸附装置包括静电吸附装置、静电控制电路和位于所述静电吸附装置上的多个静电吸附孔；所述静电控制电路用于控制所述静电吸附孔的静电吸附力；

所述第二吸附装置包括转移接收装置、磁场控制电路和位于所述转移接收装置上的多个磁力吸附孔，所述磁场控制电路用于控制所述磁力吸附孔对应位置的磁场强度。

优选地，所述转移接收装置上还设置有凹槽，所述凹槽用于容纳转移后的MicroLED芯片。

本发明还对应提供一种Micro LED阵列器件的巨量转移方法，应用在上面所述的Micro LED阵列器件的巨量转移装置，对Micro LED阵列器件进行转移中，所述Micro LED阵列器件的巨量转移方法包括：

将所述Micro LED阵列器件的巨量转移装置的第一吸附装置移动至所述MicroLED阵列器件背离所述外延衬底的一侧，并将所述第一吸附装置的静电吸附孔与所述MicroLED一一对准；

对所述第一吸附装置中的静电控制电路通电，控制所述静电吸附孔的吸附力，以使所述Micro LED阵列器件被吸附在所述第一吸附装置上；

去除所述Micro LED阵列器件的外延衬底；

将吸附有所述Micro LED阵列器件的第一吸附装置移动至第二吸附装置的转移接收装置的一侧，将所述Micro LED阵列器件对准所述转移接收装置上的磁力吸附孔；