[发明专利]具有磁性随机存取存储器装置的集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造磁性随机存取存储器MRAM位单元的方法，该方法包含：

决定第一位单元与第二位单元之间的所需单元间间隔；

对半导体衬底进行双重图案化以形成半导体鳍结构，其中，以群组的方式形成该半导体鳍结构，该群组具有在已分组的半导体鳍结构之间的群组内间距以及不同于该群组内间距的相邻群组的半导体鳍结构之间的所需单元间间隔；

在该第一位单元中的该半导体鳍结构上方形成第一MRAM存储器结构，且在该第二位单元中的该半导体鳍结构上方形成第二MRAM存储器结构，其中，在该第一位单元中的该第一MRAM存储器结构与该半导体鳍结构之间建构第一延伸源极/漏极区，并且在该第二位单元中的该第二MRAM存储器结构与该半导体鳍结构之间建构第二延伸源极/漏极区，以及其中，该第一延伸源极/漏极区及该第二延伸源极/漏极区覆盖该半导体鳍结构的上部；以及

在该第一MRAM存储器结构与该第二MRAM存储器结构之间形成该第一位单元的第一源极线，其中，该第一源极线沿着平行于所述半导体鳍结构的鳍的方向延伸。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在该第一MRAM存储器结构上方形成第一位线，其中，该第一位线实质上平行于该第一源极线。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包含：合并该第一位单元内的该鳍结构。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包含：形成垂直于该第一源极线的字线。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包含：

形成在该第一MRAM存储器结构上方且平行于该第一源极线的第一位线；以及

形成垂直于该第一源极线的字线。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包含：

形成在该第一MRAM存储器结构上方且平行于该第一源极线的第一位线；以及

形成垂直于该第一源极线的字线，其中，该第一位单元自第一字线经由第二字线延伸到第三字线。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包含：

形成在该第一MRAM存储器结构上方且平行于该第一源极线的第一位线，其中，该第一位单元包含该第一位线及该第一源极线；以及

形成垂直于该第一源极线的字线。

8.如权利要求1所述的方法，其中，通过对该半导体衬底进行双重图案化而形成的各半导体鳍结构在制造该MRAM位单元之后留在该第一位单元或该第二位单元中。

9.如权利要求1所述的方法，其中，不执行任何鳍切割工艺。

10.一种用于制造集成电路的方法，该方法包含：

对半导体衬底进行图案化而形成半导体鳍结构，其中，以群组的方式形成该半导体鳍结构，该群组具有已分组的半导体鳍结构之间的群组内间距以及相邻群组的半导体鳍结构之间的群组间间距，其中，该群组间间距大于该群组内间距；

执行外延沉积工艺而在该半导体鳍结构上方形成外延半导体材料，其中，该外延半导体材料在半导体鳍结构的各群组上方被合并，以及其中，该外延半导体材料在相邻群组的半导体鳍结构之间未被合并；以及

在半导体鳍结构的各群组上方被合并的该外延半导体材料上方形成磁穿隧接面MTJ结构，其中，在该磁穿隧接面结构与该半导体鳍结构的各群组之间建构各延伸源极/漏极区，以及其中，该各延伸源极/漏极区覆盖该半导体鳍结构的该各群组的上部；以及

在各相邻群组的半导体鳍结构之间形成源极线，其中，该源极线沿着平行所述半导体鳍结构的鳍的方向延伸。

11.如权利要求10所述的方法，进一步包含：在各磁穿隧接面结构上方形成位线。

12.如权利要求10所述的方法，进一步包含：

在各磁穿隧接面结构上方形成位线，其中，该位线与源极线实质上平行。