[发明专利]具有磁性随机存取存储器装置的集成电路及其制造方法

说明书

本发明提供具有磁性随机存取存储器(MRAM)装置的集成电路及其制造方法。在一例示实施例中，一种用于制造MRAM位单元的方法，包含：决定第一位单元与第二位单元之间的所需单元间间隔；以及对半导体衬底进行双重图案化而形成半导体鳍结构，其中，以群组的方式形成该半导体鳍结构，该群组具有已分组的半导体鳍结构之间的群组内间距以及不同于该群组内间距的相邻群组的半导体鳍结构之间的单元间间隔。该方法还包含：在该第一位单元中的该半导体鳍结构上方形成第一MRAM存储器结构；以及在该第二位单元中的该半导体鳍结构上方形成第二MRAM存储器结构。此外，该方法包含：在该第一MRAM存储器结构与该第二MRAM存储器结构之间形成该第一位单元的第一源极线。

技术领域

本技术领域大致有关精密的半导体装置及此种装置的制造，且尤其是有关一种诸如以半导体鳍结构形成的磁性随机存取存储器(Magnetic Random Access Memory；简称MRAM)装置等的非易失性存储器(Non-Volatile Memory；简称NVM)装置。

背景技术

如本领域技术人员所熟知的，非易失性存储器装置的特征在于：即使在移除外部电源时，也不会遗失其存储单元中储存的资料。因此，此种非易失性存储器装置被广泛用于电脑、行动通讯系统、及存储卡等的应用。

与常见的平面金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor；简称MOSFET)相比之下，多栅极晶体管将两个或更多个栅极纳入单一装置。与单栅极晶体管比较之下，多栅极晶体管减少关闭状态漏电流，增加开启状态电流，且减少总功率消耗。具有非平面构形的多栅极装置往往也是比常见的平面晶体管更小型，且因而可实现较高的装置密度。

通常被称为“鳍式场效应晶体管”(“FinFET”)的一种已知类型的非平面多栅极晶体管包含在一衬底上形成的两个或更多个平行的鳍(“鳍结构”)。该鳍结构沿着共同源极与漏极电极之间的第一轴而延伸。在该鳍结构上方形成至少一导电栅极结构，且该至少一导电栅极结构沿着大致垂直于该第一轴的第二轴而延伸。更具体而言，该栅极延伸越过该鳍结构而延伸到该鳍结构上方，因而该栅极的中间区以保形的方式覆盖每一鳍的三个表面(亦即，每一鳍的上表面、第一侧壁表面、及对面的第二侧壁表面)。该表面构成该栅极的沟道。

虽然提供了前文所述的该优点，但是FinFET及其他非平面多栅极装置(例如，三栅极场效应晶体管(triFET))可能有些难以与诸如MRAM装置等的半导体装置的制造整合。

因此，希望能够提供用于制造包含在FinFET上方形成的MRAM装置的集成电路的方法。此外，希望能够提供用于制造具有半导体鳍结构的集成电路的方法，其中该方法不需要用于移除不需要的鳍结构的鳍切割步骤。也希望能够提供具有MRAM装置及半导体鳍结构的改良式设计的集成电路。此外，若连同各附图及前文的技术领域及先前技术而参照后文的详细说明及最后的权利要求书，将可了解其他希望提供的特性及特征。

发明内容

本发明提供具有磁性随机存取存储器(MRAM)装置的集成电路及用于制造此装置的方法。在一例示实施例中，一种用于制造MRAM位单元的方法，包含：决定第一位单元与第二位单元之间的所需单元间间隔；以及对半导体衬底进行双重图案化而形成半导体鳍结构，其中，以群组的方式形成该半导体鳍结构，该群组具有已分组的半导体鳍结构之间的群组内间距以及不同于该群组内间距的相邻群组的半导体鳍结构之间的单元间间隔。该方法进一步包含：在该第一位单元中的该半导体鳍结构上方形成第一MRAM存储器结构；以及在该第二位单元中的该半导体鳍结构上方形成第二MRAM存储器结构。此外，该方法包含：在该第一MRAM存储器结构与该第二MRAM存储器结构之间形成该第一位单元的第一源极线。