[发明专利]对基片进行钝化的方法及钝化设备有效
| 申请号： | 201811268753.5 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN111105989B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 林伟华;魏明蕊;刘科学 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 进行 钝化 方法 设备 | ||
1.一种对基片进行钝化的方法，其特征在于，所述方法包括：
在外燃腔内点燃氢气和氧气的混合气，以生成水蒸气；
通过设于所述外燃腔内点火处的温度检测元件实时监测所述外燃腔内的温度，并与预设温度进行比较，以利用所述外燃腔外周设置的第一加热模块实时调整所述外燃腔内的温度，以避免所述外燃腔内存在冷凝点，并确保所述外燃腔内的气体为不含液滴的水蒸气；所述外燃腔内的温度随着钝化工艺腔内的温度的升高而降低；
将所述水蒸气通入设置有基片的钝化工艺腔，以在所述基片的表面生成没有颗粒的钝化膜；
所述方法还包括对所述外燃腔和所述钝化工艺腔之间设置的用于将二者连通的过渡管路进行加热。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化工艺腔内的温度在700℃至800℃之间，所述外燃腔内的温度在850℃至900℃之间；或，
所述钝化工艺腔内的温度在800℃至900℃之间，所述外燃腔内的温度在800℃至850℃之间；或，
所述钝化工艺腔内的温度大于900℃时，所述外燃腔内的温度在700℃至750℃之间。
3.根据权利要求1至2中任意一项所述的方法，其特征在于，利用供气管向所述外燃腔内通入氢气和氧气。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，利用所述供气管向所述外燃腔中供气的气体流速不超过预定流速。
5.一种钝化设备，所述钝化设备包括外燃腔和与该外燃腔连通的钝化工艺腔，其特征在于，所述钝化设备采用权利要求1-4任意一项所述的对基片进行钝化的方法，还包括：
温度检测元件，设于所述外燃腔内点火处，用于实时监测所述外燃腔内的温度；
第一加热模块，设于所述外燃腔外周，用于对所述外燃腔进行加热，以实时调整所述外燃腔内的温度。
6.根据权利要求5所述的钝化设备，其特征在于，所述钝化设备还包括：
控制模块，用于根据所述温度检测元件检测的温度控制所述第一加热模块的功率。
7.根据权利要求5或6所述的钝化设备，其特征在于，所述钝化设备还包括：
供气管，所述供气管的一端与所述外燃腔相通。
8.根据权利要求5或6所述的钝化设备，其特征在于，所述钝化设备还包括将所述外燃腔和所述钝化工艺腔连通的过渡管路以及对所述过渡管路进行加热的第二加热模块。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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