[发明专利]对基片进行钝化的方法及钝化设备

说明书

本发明提供一种对基片进行钝化的方法，该方法包括：在外燃腔内点燃氢气和氧气的混合气，以生成水蒸气；通过设于所述外燃腔内点火处的温度检测元件实时监测所述外燃腔内的温度，并与预设温度进行比较，以利用所述外燃腔外周设置的第一加热模块实时调整所述外燃腔内的温度；将所述水蒸气通入设置有基片的钝化工艺腔。本发明还提供一种钝化设备。本发明所提供的方法对基片进行钝化时，形成的颗粒较少甚至没有，钝化膜的平整度较高。

技术领域

本发明涉及微电子加工领域，具体地，涉及一种对基片进行钝化的方法和一种执行该方法的钝化设备。

背景技术

硅片是微电子加工领域中常用到的原材料。为了对硅片或者硅片形成的器件进行保护，通常在硅片或者硅的表面形成二氧化硅钝化膜。

常用的形成二氧化硅钝化膜的方法包括三种：干氧法、湿氧法和二氯乙烯氧化法。由于成本低、膜层生长速度快且无污染等优点，湿氧法得到的广泛的应用。

具体地，湿氧法形成钝化膜的步骤如下：

向外燃腔内通入氢气和氧气，获得混合气；

点燃混合气，获得水蒸气，并将水蒸气通入钝化工艺腔，以对钝化工艺腔内的硅片进行氧化、在硅片的表面形成二氧化硅钝化膜。

但是，利用湿氧法形成二氧化硅钝化膜时，容易产生二氧化硅颗粒，降低成膜质量。

因此，如何避免湿氧法生长二氧化硅钝化膜时产生颗粒成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种对基片进行钝化的方法和一种执行该方法的钝化设备。所述方法为湿氧法，并且形成二氧化硅钝化膜时颗粒量少成膜率高。

为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种对基片进行钝化的方法，其中，所述方法包括：

在外燃腔内点燃氢气和氧气的混合气，以生成水蒸气；

通过设于所述外燃腔内点火处的温度检测元件实时监测所述外燃腔内的温度，并与预设温度进行比较，以利用所述外燃腔外周设置的第一加热模块实时调整所述外燃腔内的温度；

将所述水蒸气通入设置有基片的钝化工艺腔。

优选地，所述外燃腔内的温度随着所述钝化工艺腔内的温度的升高而降低。

优选地，所述钝化工艺腔内的温度在700℃至800℃之间，所述外燃腔内的温度在850℃至900℃之间；或，

所述钝化工艺腔内的温度在800℃至900℃之间，所述外燃腔内的温度在800℃至850℃之间；或，

所述钝化工艺腔内的温度大于900℃时，所述外燃腔内的温度在700℃至750℃之间。

优选地，利用供气管向所述外燃腔内通入氢气和氧气。

优选地，利用所述供气管向所述外燃腔中供气的气体流速不超过预定流速。

优选地，所述方法还包括对所述外燃腔和所述钝化工艺腔之间设置的用于将二者连通的过渡管路进行加热。

作为本发明的另一个方面，提供一种钝化设备，所述钝化设备包括外燃腔和与该外燃腔连通的钝化工艺腔，其中，所述钝化设备还包括：

温度检测元件，设于所述外燃腔内点火处，用于实时监测所述外燃腔内的温度；

第一加热模块，设于所述外燃腔外周，用于对所述外燃腔进行加热，以实时调整所述外燃腔内的温度。

优选地，所述钝化设备还包括：

控制模块，用于根据所述温度检测元件检测的温度控制所述第一加热模块的功率。