[发明专利]一种输送系统

说明书

本发明涉及外延设备技术领域，尤其涉及一种输送系统，包括真空腔室和沿被载物的输送方向设置的多个输送装置，各输送装置分别包括驱动部件、传动部件和支撑部件，传动部件包括转动轴及回转密封套，转动轴穿过真空腔室侧壁进入真空腔室内部，支撑部件设置于转动轴位于真空腔室内部的一端，支撑部件用于支撑被载物，驱动部件设置于转动轴位于真空腔室外部的一端，驱动部件用于驱动转动轴转动输送被载物，回转密封套套在转动轴位于真空腔室外的部分，并且回转密封套位于真空腔室与驱动部件之间。本发明可实现不含油的真空密封，避免真空环境油液微量挥发对真空环境造成污染，不易磨损老化失效，可减少后期维护工作，达到密封性能要求和环境使用要求。

技术领域

本发明涉及外延设备技术领域，尤其涉及一种输送系统。

背景技术

MOCVD(金属有机化合物化学气相沉淀)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

为了让MOCVD设备生产自动化，在其工艺腔室的真空高温环境中的自动化输送就是要达到以下的要求：由于工艺生产过程中，需要使用许多有毒气体，腔室气密性必须良好，所以对输送动力传输部分有较高的密封性能要求；工艺需要生产用的载板要在腔室内进行输送，停止位置准确；MOCVD加热过程中由于存在高热辐射，要求输送机构腔室内部分耐高温，而且抗氧化腐蚀能力好。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是解决现有的输送设备在真空环境下难以达到密封要求，气密性不良的问题。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种输送系统，包括真空腔室和沿被载物的输送方向设置的多个输送装置，各所述输送装置分别包括驱动部件、传动部件和支撑部件，所述传动部件包括转动轴及回转密封套，所述转动轴穿过所述真空腔室侧壁进入所述真空腔室内部，所述支撑部件设置于所述转动轴位于所述真空腔室内部的一端，所述支撑部件用于支撑所述被载物，所述驱动部件设置于所述转动轴位于所述真空腔室外部的一端，所述驱动部件用于驱动所述转动轴转动输送所述被载物，所述回转密封套套在所述转动轴位于所述真空腔室外的部分，并且所述回转密封套位于所述真空腔室与所述驱动部件之间。

其中，所述回转密封套为磁流体管，所述磁流体管密封且与所述转动轴通过轴承连接。

其中，所述转动轴位于所述真空腔室与所述磁流体管之间的部分套设波纹管，所述波纹管一端与所述真空腔室侧壁连接，另一端与所述磁流体管连接。

其中，所述支撑部件包括滚轮，所述滚轮安装于所述转动轴的端部且与所述转动轴同轴设置，所述滚轮由耐高温耐腐蚀材料制成。

其中，还包括冷却装置，所述冷却装置包括旋转接头和冷却源，所述旋转接头连接于所述转动轴位于所述真空腔室外的一端，并且所述旋转接头位于所述驱动部件外侧，所述转动轴的内部与所述旋转接头的内部形成冷却液回路，所述冷却液回路的进液口与出液口设置于所述旋转接头内部，所述进液口与所述冷却源连接。

其中，所述转动轴内设有第一冷却孔，所述旋转接头内具有第二冷却孔，所述第一冷却孔与第二冷却孔相连通，且所述第一冷却孔与所述第二冷却孔的内部由冷却液管贯穿，所述冷却液管内腔形成进液通道，所述冷却液管管壁与所述第一冷却孔孔壁之间及所述冷却液管与所述第二冷却孔孔壁之间形成出液通道，所述进液口与位于所述第二冷却孔内的所述冷却液管的管端连通，所述出液口与所述出液通道连通。

其中，还包括检测装置，所述检测装置包括多组位置传感器，多组所述位置传感器沿所述被载物的输送方向依次设置于所述真空腔室的侧壁上，以检测所述被载物在所述输送装置上到达的位置。