[发明专利]减少裂解装置结焦的方法

权利要求书

1.一种减少裂解装置结焦的方法，所述方法包括在热备期间，热处理条件下将含有含硅有机化合物、多硫有机化合物和载气的处理气引入裂解装置中进行热处理；所述多硫有机化合物的通式为R₁-S_n-R₂，其中n为3-5的整数，R₁、R₂各自独立地选自氢或碳原子数为1-24的烃基，且R₁、R₂不同时为氢。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述R₁、R₂各自独立地选自碳原子数为1-24的芳基、芳烷基、烷基、环烷基、烯基，优选地，R₁、R₂各自独立地选自叔丁基、叔壬基。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述含硅有机化合物选自烷基硅氧烷、烷氧基硅氧烷、聚硅氧烷、烷基聚硅氧烷、芳基聚硅氧烷中的一种或多种，优选地，所述含硅有机化合物选自四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、六甲基二硅氧烷、二甲基聚硅氧烷、二乙基聚硅氧烷和甲苯基聚硅氧烷中的一种或多种。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述载气选自水蒸气、氮气和其他非活性气体中的一种或多种。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述含硅有机化合物与所述多硫有机化合物的摩尔比以Si：S计为(0.02-20)：1。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述含硅有机化合物与所述多硫有机化合物的摩尔比以Si：S计为(2-20)：1。

7.根据权利要求1或2所述方法，其中，所述含硅有机化合物和所述多硫有机化合物的用量为载气质量的(0.1-2000)ppm，优选为(100-1000)ppm。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述裂解装置包括裂解炉和位于裂解炉下游的换热器；优选地，

在所述裂解炉中，所述热处理的条件包括：温度为600-1000℃，压强为0.1-3MPa，优选地，温度为650-950℃，压强为0.1-2MPa；

在所述换热器中，所述热处理的条件包括：温度为300-500℃，压强为0.1-3MPa。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述处理气从所述裂解装置的对流段或横跨段引入；优选地，

所述处理气从所述裂解装置的横跨段引入。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中，裂解所用原料选自乙烷、丙烷、石脑油、加氢尾油、轻柴油和干点在500℃以下的重质油中的一种或多种。