[发明专利]一种陶瓷清洁石及其制备方法

说明书

本发明提供一种陶瓷清洁石及其制备方法，其中，陶瓷清洁石，包括清洁石本体；清洁石本体由三氧化二铝或氮化铝烧结而成；清洁石本体设有抛光面；抛光面的平坦度在1μm、粗糙度在0.1μm以下。通过本发明提供的陶瓷清洁石对陶瓷压合座表面进行清理，减少刮划，提高陶瓷压合座的使用寿命；另外，通过烧结制备而成的清洁石本体，强度高，使用寿命长，具有良好的市场前景。本发明提供的陶瓷清洁石的制备方法，工艺简洁，制备出的清洁石本体能够对陶瓷压合座表面上的残胶进行有效的清除并且不会造成刮伤及破坏。

技术领域

本发明涉及清洁石领域，特别涉及一种陶瓷清洁石及其制备方法。

背景技术

COF(Chip On Filim)倒装芯片的封装是在陶瓷压合座上以高温压合基板与芯片线路。在封装过程中经常会有残胶残留在压合座上，而残胶会在高温下硬化，难以去除。传统清洁方式是采用黄铜刀片或不锈钢刀片对残胶进行刮除。虽此种方法可有效去除残胶，但也同时会对陶瓷压合座表面造成刮伤及破坏。

发明内容

为解决上述残胶清洁时对陶瓷压合座造成刮伤及破坏问题，本发明提供陶瓷清洁石及其制备方法，其中，陶瓷清洁石，包括清洁石本体；所述清洁石本体由三氧化二铝或氮化铝烧结而成；所述清洁石本体设有抛光面；所述抛光面的平坦度在1μm、粗糙度在0.1μm以下。

进一步地，所述清洁石本体设有刻印面。

进一步地，所述清洁石本体为立方体。

进一步地，所述三氧化二铝、氮化铝的纯度百分比均在85％以上。

进一步地，所述抛光面的平坦度为1μm-0.3μm，粗糙度为0.1μm-0.03μm。

本发明提供的陶瓷清洁石，能够对陶瓷压合座表面上的残胶进行有效的清除并且不会造成刮伤及破坏，提高了陶瓷压合座的使用寿命；另外，通过烧结制备而成的清洁石本体，强度高，使用寿命长，具有良好的市场前景。

本发明另外提供的陶瓷清洁石的制备方法具体如下：

S10、选取三氧化二铝或氮化铝烧结制成的烧结体为素材；

S20、对素材进行切割；

S30、切割完成后，对素材进行研磨和抛光，使抛光面的平坦度在1μm、粗糙度在0.1μm以下；

S40、品检确认平坦度和粗糙度后激光打标，形成清洁石本体。

本发明提供的陶瓷清洁石的制备方法，工艺简洁，制备出的清洁石本体能够对陶瓷压合座表面上的残胶进行有效的清除并且不会造成刮伤及破坏。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的陶瓷清洁石一实施例图；

图2为陶瓷清洁石一实施例图。

附图标记：

10清洁石本体 11抛光面 12刻印面

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。