[发明专利]有机光电器件及有机光电器件的制作方法在审
申请号: | 201811271204.3 | 申请日: | 2018-10-29 |
公开(公告)号: | CN109411610A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 徐苗;邹建华;王磊;陶洪;彭俊彪 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/48;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 510641 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机光电器件 辅助电极 光电功能 衬底基板 第一电极 像素定义层 第二电极 隔离结构 开口区 制作 电极阻抗 光电性能 制作过程 电绝缘 电连接 隔断 掩膜 精细 覆盖 | ||
1.一种有机光电器件,其特征在于,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括多个开口区和围绕所述开口区的非开口区;
形成在所述衬底基板上的多个彼此间隔的第一电极,所述第一电极在所述衬底基板上的垂直投影位于所述开口区内;
形成在所述衬底基板上的像素定义层,所述像素定义层在所述衬底基板上的垂直投影位于所述非开口区内;
形成在所述像素定义层上的辅助电极,且所述辅助电极与所述第一电极电绝缘;
形成在所述辅助电极上的隔离结构;
形成在所述第一电极上的光电功能层,相邻两个所述开口区对应的所述光电功能层被位于所述开口区之间的所述隔离结构隔断;
形成在所述光电功能层上的第二电极,所述第二电极覆盖所述光电功能层,且与所述辅助电极电连接。
2.根据权利要求1所述的有机光电器件,其特征在于,
所述隔离结构为具有电绝缘性的隔离柱,沿由所述衬底基板垂直指向所述辅助电极的方向,所述隔离柱的横截面积逐渐增大;
所述光电功能层包括彼此隔断的第一子光电功能层和第二子光电功能层,所述第一子光电功能层覆盖所述隔离柱,所述第二子光电功能层覆盖所述第一电极。
3.根据权利要求2所述的有机光电器件,其特征在于,
所述辅助电极包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域;
所述隔离柱靠近所述辅助电极的表面在所述衬底基板上的垂直投影与所述辅助电极的第一区域在所述衬底基板上的垂直投影重合;
所述第二电极覆盖所述辅助电极的第二区域。
4.根据权利要求3所述的有机光电器件,其特征在于,
所述第二电极利用原子层沉积法制作形成。
5.根据权利要求3所述的有机光电器件,其特征在于,
所述隔离柱背离所述辅助电极的表面在所述衬底基板上的垂直投影与所述辅助电极在所述衬底基板上的垂直投影重合。
6.根据权利要求2所述的有机光电器件,其特征在于,
所述隔离柱的形状为棱台形或圆台形。
7.根据权利要求1所述的有机光电器件,其特征在于,
所述隔离结构包括至少一个重复单元,
所述重复单元的高度与所述重复单元背离所述像素定义层的表面的面积的比值大于或等于5:1;
所述重复单元的材料为导电材料。
8.根据权利要求7所述的有机光电器件,其特征在于,
所述重复单元的形状为柱形、球形、圆锥形、圆台形、棱锥形或棱台形。
9.根据权利要求1所述的有机光电器件,其特征在于,
所述有机光电器件为有机发光显示面板或太阳能电池。
10.一种有机光电器件的制作方法,其特征在于,用于制作权利要求1-9任一项所述的有机光电器件;
所述有机光电器件的制作方法包括:
提供衬底基板,所述衬底基板包括多个开口区和围绕所述开口区的非开口区;
在所述衬底基板上形成多个彼此间隔的第一电极,所述第一电极在所述衬底基板上的垂直投影位于所述开口区内;
在所述衬底基板上形成像素定义层,所述像素定义层在所述衬底基板上的垂直投影位于所述非开口区内;
在所述像素定义层上形成辅助电极,且所述辅助电极与所述第一电极电绝缘;
在所述辅助电极上形成隔离结构;
在所述第一电极上形成光电功能层,相邻两个所述开口区对应的所述光电功能层被位于所述开口区之间的所述隔离结构隔断;
在所述光电功能层上形成第二电极,所述第二电极覆盖所述光电功能层,且与所述辅助电极电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811271204.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择