[发明专利]有机光电器件及有机光电器件的制作方法

说明书

本发明实施例公开了一种有机光电器件及有机光电器件的制作方法，该有机光电器件包括：衬底基板；形成在衬底基板上的多个彼此间隔的第一电极；形成在衬底基板上的像素定义层；形成在像素定义层上的辅助电极，且辅助电极与第一电极电绝缘；形成在辅助电极上的隔离结构；形成在第一电极上的光电功能层，相邻两个开口区对应的光电功能层被位于开口区之间的隔离结构隔断；形成在光电功能层上的第二电极，第二电极覆盖光电功能层，且与辅助电极电连接。本发明提供的有机光电器件可以充分降低有机光电器件中电极阻抗，提高有机光电器件的光电性能，并且该有机光电器件制作过程中不会用到精细掩膜，制作成本低廉。

技术领域

本发明实施例涉及有机光电技术，尤其涉及一种有机光电器件及有机光电器件的制作方法。

背景技术

随着科技的发展，有机光电器件成为人们日常生活中必不可少的一部分。

在大尺寸有机光电器件中，最容易出现的一个问题是对于同一驱动信号，不同光电单元的光电性能不同。导致该问题的一个重要原因是构成光电单元的电极阻值较大，电信号在其上的压降大，造成不同光电单元实际接收到的驱动信号不同。因此，利用低阻值的透明导电膜制作电极是实现大尺寸有机光电器件的一个重要组成部分。

但是在实际中，由于有机材料自身强度的限制，无法使用物理气相沉积、化学气相沉积等高能、高温方法制作低阻值透明导电薄膜。而若采用真空热蒸发的方法制备超薄金属薄膜作为半透明导电层，例如厚度为25nm以内的Ag薄膜，或是Cu薄膜等。超薄的金属薄膜，因自身光透过率较差，只能通过减小薄膜厚度提高光透过率。但薄膜厚度的降低，又会导致电阻上升。在大尺寸有机光电器件中，超薄透明金属薄膜难以应对高电荷传输能力的要求。而若采用电阻更低的金属网格代替金属薄膜。在制作金属网格时，需要用到精细掩膜(FMM)，精细掩膜的制作成本较高，这大大提升了有机光电器件的制作成本。

发明内容

本发明提供一种有机光电器件及有机光电器件的制作方法，以充分降低有机光电器件中电极阻抗，提高有机光电器件的光电性能，并且该有机光电器件制作过程中不会用到精细掩膜，制作成本低廉。

第一方面，本发明实施例提供了一种有机光电器件，该有机光电器件包括：

衬底基板，所述衬底基板包括多个开口区和围绕所述开口区的非开口区；

形成在所述衬底基板上的多个彼此间隔的第一电极，所述第一电极在所述衬底基板上的垂直投影位于所述开口区内；

形成在所述衬底基板上的像素定义层，所述像素定义层在所述衬底基板上的垂直投影位于所述非开口区内；

形成在所述像素定义层上的辅助电极，且所述辅助电极与所述第一电极电绝缘；

形成在所述辅助电极上的隔离结构；

形成在所述第一电极上的光电功能层，相邻两个所述开口区对应的所述光电功能层被位于所述开口区之间的所述隔离结构隔断；

形成在所述光电功能层上的第二电极，所述第二电极覆盖所述光电功能层，且与所述辅助电极电连接。

第二方面，本发明实施例还提供了一种有机光电器件的制作方法，该有机光电器件制作方法用于制作本发明实施例提供的任一项所述的有机光电器件；

所述有机光电器件的制作方法包括：

提供衬底基板，所述衬底基板包括多个开口区和围绕所述开口区的非开口区；

在所述衬底基板上形成多个彼此间隔的第一电极，所述第一电极在所述衬底基板上的垂直投影位于所述开口区内；

在所述衬底基板上形成像素定义层，所述像素定义层在所述衬底基板上的垂直投影位于所述非开口区内；

在所述像素定义层上形成辅助电极，且所述辅助电极与所述第一电极电绝缘；