[发明专利]基板处理装置以及成膜装置有效
| 申请号： | 201811273183.9 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109755154B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 阿部可子;渡部新;阿部大和;竹见崇 | 申请（专利权）人： | 佳能特机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/687 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 | ||
1.一种基板处理装置，该基板处理装置具备：
腔室，配置有基板并且被导入放电气体；
基板保持架，在所述腔室内保持所述基板；
基板保持架支承部，在所述腔室内支承所述基板保持架；以及
电压施加部件，将所述基板保持架作为阴极，且至少将所述腔室以及所述基板保持架支承部作为阳极，对所述基板施加电压，
通过向所述基板的表面照射离子或电子，进行所述基板的表面处理，所述离子或电子通过由所述电压施加部件的电压施加产生的放电而在所述腔室内产生，
其特征在于，
所述基板保持架与所述基板保持架支承部经由相对于所述基板保持架以及所述基板保持架支承部电绝缘的作为电势上浮动的构件的金属制的浮动部连结。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述浮动部被配置在沿着基板的外周的区域的至少一部分。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述浮动部被配置在所述基板保持架支承部与所述基板的周缘中的同所述基板保持架支承部接近的部分之间。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板保持架将所述基板保持成被处理面成为竖直，
所述浮动部被配置在所述基板的下端部的下方。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述浮动部具有相对于所述基板的下端部遍及其整个区域接近的部分。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述浮动部经由绝缘构件相对于所述基板保持架以及所述基板保持架支承部连结。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述浮动部是金属制的板状构件，与基板的被处理面平行地配置。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具备被配置在所述腔室内的附着防止板，
所述附着防止板包含于所述阳极。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板保持架支承部被构成为能够在所述腔室内移动。
10.一种成膜装置，其特征在于，
该成膜装置具备：
权利要求1或2所述的基板处理装置；以及
成膜处理部，对由所述基板处理装置实施了表面处理的基板的表面进行成膜处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
