[发明专利]基板处理装置以及成膜装置

说明书

本发明提供基板处理装置以及成膜装置，在使用了反溅射原理的基板表面处理中，能够对被处理面整个区域进行均匀的处理。该基板处理装置(14)具备：配置有基板(2)并且被导入放电气体的腔室(41)；在腔室内保持基板的基板保持架(42)；在腔室内支承基板保持架的基板保持架支承部(43)；以及将基板保持架作为阴极，且至少将腔室以及基板保持架支承部作为阳极，对基板施加电压的电压施加部件(44)，通过向基板的表面照射离子或电子，进行基板的表面处理，所述离子或电子通过由电压施加部件的电压施加产生的放电而在腔室内产生，其中，基板保持架和基板保持架支承部经由相对于基板保持架以及基板保持架支承部电绝缘的浮动部(50)连结。

技术领域

本发明涉及基板处理装置以及成膜装置。

背景技术

在半导体器件的成膜处理中，在溅射之前，进行使用了反溅射原理的基板表面处理，来作为用于对基板表面进行清洁的前处理、蚀刻处理(专利文献1)。通过向配置有基板的腔室内导入Ar气体等放电气体，并将腔室内维持在规定的真空压力的同时，对基板施加规定的高频电压，从而进行基于反溅射的表面处理。利用通过施加电压而在基板的被处理面产生的放电产生等离子体，等离子体中的离子与基板的被处理面碰撞，从而去除形成在被处理面上的氧化膜等。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012－132053号公报

发明内容

发明要解决的课题

在反溅射处理中的向基板施加电压的过程中，将基板保持架的基板载置部作为阴极，腔室等基板保持架以外的装置结构成为阳极。为了对基板的被处理面整个区域进行均匀的处理，等离子体区域需要被形成在比被处理面大的范围。可是，根据装置结构的不同，在成为阴极的基板保持架的基板载置部与阳极接近的区域，有时会妨碍电子的带电，且妨碍等离子体的扩散。其结果，有时对基板的被处理面的处理分布产生影响。

本发明的目的在于，提供一种能够在使用了反溅射原理的基板表面处理中对被处理面整个区域进行均匀的处理的技术。

用于解决课题的技术方案

为了实现上述目的，本发明的基板处理装置具备：

腔室，配置有基板并且被导入放电气体；

基板保持架，在所述腔室内保持所述基板；

基板保持架支承部，在所述腔室内支承所述基板保持架；以及

电压施加部件，将所述基板保持架作为阴极，且至少将所述腔室以及所述基板保持架支承部作为阳极，对所述基板施加电压，

通过向所述基板的表面照射离子或电子，进行所述基板的表面处理，所述离子或电子通过由所述电压施加部件的电压施加产生的放电而在所述腔室内产生，

其特征在于，

所述基板保持架与所述基板保持架支承部经由相对于所述基板保持架以及所述基板保持架支承部电绝缘的浮动部连结。

为了实现上述目的，本发明的成膜装置具备：

上述基板处理装置；以及

成膜处理部，对由所述基板处理装置实施了表面处理的基板的表面进行成膜处理。

发明的效果

根据本发明，能够在使用了反溅射原理的基板表面处理中对被处理面整个区域进行均匀的处理。

附图说明

图1是本发明的实施例的基板处理装置的概略图。

图2是本发明的实施例与比较例的比较说明图。