[发明专利]一种测试方法及装置

权利要求书

1.一种测试方法，其特征在于，所述方法包括：

确定对以Flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点，其中，所述测试点包括：用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、所述第一类参数的取值和所述第二类参数的取值；

按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行所述第一类参数所指示的操作，进而构建所述测试点对应的测试环境；

按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行所述第二类参数所指示的操作；

读取所述存储设备的Flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，得到所述存储设备针对所述测试点的测试结果。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一类参数包括擦除PE次数和第一环境温度的情况下，

所述按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行所述第一类参数所指示的操作，包括：

控制所述存储设备所处环境的温度，使得所述存储设备所处环境的温度值达到所述测试点中包括的所述第一环境温度的取值；

控制所述存储设备进行PE操作，使得所述存储设备进行的PE操作的次数达到所述测试点中包括的PE次数的取值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一类参数还包括第二环境温度、所述第二类参数包括读干扰RD次数的情况下，

所述按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行第二类参数所指示的操作，包括：

控制所述存储设备所处环境的温度，使得所述存储设备所处环境的温度值达到所述测试点中包括的所述第二环境温度的取值；

控制所述存储设备进行RD操作，使得所述存储设备进行的RD操作的次数达到所述测试点中包括的RD次数的取值。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一类参数还包括第三环境温度和第四环境温度、所述第二类参数包括数据保持DR时长的情况下，

所述按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行所述第二类参数所指示的操作，包括：

控制所述存储设备所处环境的温度，使得所述存储设备所处环境的温度值达到所述测试点中包括的所述第三环境温度的取值；

关闭所述存储设备的电源对所述存储设备进行DR操作，直至电源关闭时长达到所述测试点中包括的DR时长的取值；

所述读取所述存储设备的Flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，包括：

控制所述存储设备所处环境的温度，使得所述存储设备所处环境的温度值达到所述测试点中包括的所述第四环境温度的取值；

开启所述存储设备的电源，读取所述存储设备的Flash颗粒中各个存储单元的阈值电压。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获得所述存储设备针对各个测试点的测试结果后，对所获得测试结果进行分析，得到以下信息中的至少一种信息：

随着所述第一类参数、第二类参数的变化，所述存储设备的各个存储单元的数据读取参考电压的分布信息；

随着所述第一类参数、第二类参数的变化，所述存储设备的各个存储单元的裸误码分布信息。

6.一种测试装置，其特征在于，所述装置包括：

测试点确定模块，用于确定对以Flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点，其中，所述测试点包括：用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、所述第一类参数的取值和所述第二类参数的取值；

第一存储设备操作模块，用于按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行所述第一类参数所指示的操作，进而构建所述测试点对应的测试环境；

第二存储设备操作模块，用于按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行所述第二类参数所指示的操作；

电压读取模块，用于读取所述存储设备的Flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，得到所述存储设备针对所述测试点的测试结果。