[发明专利]光检测装置及光检测测距装置

权利要求书

1.一种光检测装置，具备：

硅层，设置于半导体基板的第1主表面上，是第1导电型；

第1半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高；

第2半导体层，设置于所述第1半导体层上，是第2导电型，与所述第1半导体层形成pn边界；

第3半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高，与所述第1半导体层分隔开；

电连接于所述硅层的第1电极；以及

设置于所述第2半导体层之上，电连接于所述第2半导体层的第2电极，

所述第3半导体层配置于所述第1半导体层与所述半导体基板之间，不与所述第1电极以及所述第2电极电连接，

所述第3半导体层，设置于外围区域，在与所述pn边界的边界面垂直的方向上进行俯视的情况下，所述第3半导体层包围所述第1半导体层，并且，所述第3半导体层的端部与所述第1半导体层的端部重叠或者所述第3半导体层的端部靠近所述第1半导体层的端部。

2.根据权利要求1所述的光检测装置，

所述第3半导体层的杂质浓度至少为所述硅层的杂质浓度的10倍以上。

3.一种光检测装置，具备：

第1导电型的硅层，设置于半导体基板的第1主表面上；

第1半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高；

第2半导体层，设置于所述第1半导体层上，是第2导电型，与所述第1半导体层形成pn边界；

绝缘层，设置于所述硅层内，与所述第1半导体层分隔开；

电连接于所述硅层的第1电极；以及

设置于所述第2半导体层之上，电连接于所述第2半导体层的第2电极，

所述绝缘层配置于所述第1半导体层与所述半导体基板之间，

所述绝缘层，设置于外围区域，在与所述pn边界的边界面垂直的方向上进行俯视的情况下，所述绝缘层包围所述第1半导体层，并且，所述绝缘层的端部与所述第1半导体层的端部重叠或者所述绝缘层的端部靠近所述第1半导体层的端部。

4.根据权利要求3所述的光检测装置，

所述绝缘层的下表面越朝向所述第1半导体层的中央部的正下区域越倾斜地向上突出。

5.一种光检测装置，具备：

第1导电型的硅层，设置于半导体基板的第1主表面上；

第1半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高；

第2半导体层，设置于所述第1半导体层上，是第2导电型，与所述第1半导体层形成pn边界；

导电层，设置于所述硅层内，与所述第1半导体层分隔开；

电连接于所述硅层的第1电极；以及

设置于所述第2半导体层之上，电连接于所述第2半导体层的第2电极，

所述导电层配置于所述第1半导体层与所述半导体基板之间，不与所述第1电极以及所述第2电极电连接，

所述导电层，设置于外围区域，在与所述pn边界的边界面垂直的方向上进行俯视的情况下，所述导电层包围所述第1半导体层，并且，所述导电层的端部与所述第1半导体层的端部重叠或者所述导电层的端部靠近所述第1半导体层的端部。

6.一种光检测测距装置，具备：

权利要求1所述的光检测装置；

使红外线激光振荡的激光振荡器；以及

扫描装置，扫描所述红外线激光，向所述光检测装置照射。