[发明专利]光检测装置及光检测测距装置

说明书

本公开提供光检测效率高的光检测装置。光检测装置具备：设置于半导体基板的第1主表面上的第1导电型的硅层；第1半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高；第2半导体层，设置于所述第1半导体层上，是第2导电型，与所述第1半导体层形成pn边界；第3半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高，与所述第1半导体层分隔开；连接于所述硅层的第1电极；以及连接于所述第2半导体层的第2电极。

本申请享有以日本专利申请2018-053353号(申请日：2018年3月20日)为在先申请的优先权。本申请通过参照该在先申请而包括该在先申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及光检测装置以及光检测测距装置。

背景技术

近些年，作为实现自动驾驶的装置之一，开发了车载用LIDAR(Light Detectionand Ranging：光检测测距装置)。车载用LIDAR由使红外线激光振荡的激光振荡器、扫描红外线激光的扫描光学系统、检测从目标物反射后的红外线的光检测装置以及控制电路等构成。由此，能够识别位于远距离的目标物的形状和/或距离。作为光检测装置，能够使用SiPM(Silicon Photomultiplier：硅光电倍增管)。但是，由于硅的红外线吸收率低，因此期望提高SiPM中的PDE(Photon Detection Efficiency：光检测效率)。

发明内容

发明要解决的课题

实施方式的目的在于提供光检测效率高的光检测装置。

用于解决课题的技术方案

实施方式涉及的光检测装置具备：硅层，设置于半导体基板的第1主表面上，是第1导电型；第1半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高；第2半导体层，设置于所述第1半导体层上，是第2导电型，与所述第1半导体层形成pn边界；第3半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高，与所述第1半导体层分隔开；连接于所述硅层的第1电极；以及连接于所述第2半导体层的第2电极。

根据上述结构的光检测装置，能够提高光检测效率。

附图说明

图1是表示第1实施方式涉及的光检测装置的俯视图。

图2是表示图1的区域A的俯视图。

图3是由图2所示的B-B’线切割而得的截面图。

图4是表示第1实施方式涉及的光检测装置的电路图。

图5是表示第1实施方式涉及的光检测装置的工作的图。

图6是表示第1实施方式涉及的光检测装置的有效区域的图。

图7是横轴为外围p+型层的杂质浓度、纵轴为光检测效率(PDE)的表示外围p+型层的杂质浓度对光检测效率产生的影响的曲线图。

图8是表示第1实施方式的变形例涉及的光检测装置的截面图。

图9是表示比较例涉及的光检测装置的截面图。

图10是表示第2实施方式涉及的光检测装置的截面图。

图11是表示第3实施方式涉及的光检测装置的截面图。

图12是表示第4实施方式涉及的光检测装置的截面图。

图13是表示第5实施方式涉及的光检测装置的截面图。

附图标记的说明