[发明专利]多层陶瓷电容器及制造该多层陶瓷电容器的方法

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，包括：

主体，包括介电层和内电极；以及

外电极，设置在所述主体的表面上，

其中，

所述外电极包括：

第一电极层，设置在所述主体的所述表面上，与所述内电极接触并且包括氮化钛；以及

第二电极层，设置在所述第一电极层上。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，

所述第一电极层是原子层沉积膜。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，

所述第一电极层的厚度在从10nm至500nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，

所述主体包括彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面和所述第二表面、连接到所述第三表面和所述第四表面并且彼此相对的第五表面和第六表面，

所述内电极包括交替地设置的第一内电极和第二内电极，所述介电层插设在所述第一内电极和所述第二内电极之间，使得所述第一内电极的第一端和所述第二内电极的第一端分别暴露于所述第三表面和所述第四表面，并且

所述外电极包括设置在所述主体的所述第三表面上并且连接到所述第一内电极的第一外电极和设置在所述主体的所述第四表面上并且连接到所述第二内电极的第二外电极。

5.根据权利要求4所述的多层陶瓷电容器，其中，

所述第一外电极和所述第二外电极包括：连接部，分别形成在所述主体的所述第三表面和所述第四表面上；带部，从所述连接部延伸，以形成在所述主体的所述第一表面的一部分、所述第二表面的一部分、所述第五表面的一部分和所述第六表面的一部分上；以及拐角部，在所述拐角部，所述连接部和所述带部相连，并且

t2/t1为0.9或者更大，其中，t1是所述第一电极层的所述连接部的厚度，t2是所述第一电极层的所述拐角部的厚度。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，

所述第二电极层是包括导电金属和玻璃的烧结电极。

7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，

所述导电金属是Cu。

8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，

所述第二电极层是包括金属颗粒和基体树脂的树脂基电极。

9.根据权利要求8所述的多层陶瓷电容器，其中，

所述金属颗粒选自由Cu、Ni、Ag及Cu、Ni、Ag的组合组成的组。

10.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，

所述第二电极层包括金属颗粒、围绕所述金属颗粒的导电连接部、基体树脂和形成在所述第一电极层和所述导电连接部相连处的界面上的金属间化合物。

11.根据权利要求10所述的多层陶瓷电容器，其中，

所述金属颗粒选自由Cu、Ni、Ag、包覆Ag的Cu以及包覆Sn的Cu组成的组。

12.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，

所述外电极还包括形成在所述第二电极层上的镀层。

13.一种制造多层陶瓷电容器的方法，所述方法包括：

制备包括介电层和内电极的主体；

使用原子层沉积法在所述主体的整个表面上形成包括氮化钛的第一电极层；

在所述主体的将要形成第一外电极和第二外电极的部分上形成第二电极层，使得所述第二电极层设置在所述第一电极层上；以及

从所述主体去除所述第一电极层的没有形成所述第二电极层的暴露部。