[发明专利]一种PTC薄膜及其制备方法和热敏电阻器

权利要求书

1.一种PTC薄膜，其制备原料包括高分子聚合物，其特征在于，其制备原料包括：

所述高分子聚合物 50份，

导电填料 15-35份，

陶瓷基底 20-30份，

偶联剂 1-5份，

接枝反应剂 1-8份；

所述高分子聚合物按照重量份计，包括：

聚苯乙烯HIPS 30-40份，

聚乙烯HDPE、聚丙烯PP、聚苯乙烯PS或聚偏二氟乙烯PVDF中的一种或几种 10-20份，

聚甲基丙烯甲酯PMMA 10-15份。

2.根据权利要求1所述的PTC薄膜，其特征在于，所述偶联剂为钛酸酯；

和/或，所述陶瓷基底为氧化铝。

3.根据权利要求1所述的PTC薄膜，其特征在于，所述接枝反应剂为马来酸酐。

4.根据权利要求1-3任一项所述的PTC薄膜，其特征在于，所述的导电填料选自炭黑、镍粉中的一种或两种。

5.根据权利要求4所述的PTC薄膜，其特征在于，所述导电填料由炭黑和镍粉按照（2-3）：1的比例组成。

6.根据权利要求1所述的PTC薄膜，其特征在于，所述偶联剂为钛酸酯；所述陶瓷基底为氧化铝；所述接枝反应剂为马来酸酐；所述导电填料由炭黑和镍粉按照（2-3）：1的比例组成；

所述的PTC薄膜其制备原料按照重量份计，包括：

所述高分子聚合物 50份，

炭黑 10-15份，

镍粉 8-12份，

氧化铝 20-25份，

钛酸酯 2-3份，

马来酸酐 1-5份；

其中，所述高分子聚合物由聚苯乙烯HIPS，聚乙烯HDPE、聚丙烯PP、聚苯乙烯PS、聚偏二氟乙烯PVDF中的一种、聚甲基丙烯甲酯PMMA三者复配而成。

7.根据权利要求6所述的PTC薄膜，其特征在于，所述高分子聚合物由质量比为15：（5-6）：（4-6）的聚苯乙烯HIPS，聚乙烯HDPE、聚丙烯PP、聚苯乙烯PS或聚偏二氟乙烯PVDF中的一种，聚甲基丙烯甲酯PMMA三者复配而成。

8.一种制备权利要求1-5任一项所述的PTC薄膜的方法，其特征在于，

将熔融态的所述高分子聚合物、所述导电填料、所述陶瓷基底、所述偶联剂、所述接枝反应剂混合后高速搅拌，即可。

9.权利要求1-7任一项所述的PTC薄膜用于制备热敏电阻器的应用。

10.一种热敏电阻器，其特征在于，包括涂抹于双层铝箔中间的所述PTC薄膜，所述PTC薄膜为权利要求1-7任一项所述。