[发明专利]一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法在审

专利信息
申请号: 201811282640.0 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN109366349A 公开(公告)日: 2019-02-22
发明(设计)人: 苏双图;张洁;林武庆;赖柏帆 申请(专利权)人: 福建北电新材料科技有限公司
主分类号: B24B37/34 分类号: B24B37/34;B24B1/00
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 362211 福建省泉州*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 碳化硅晶片 碳化硅铜 晶舟盒 陶瓷盘 手推 治具 光学传感器 晶片 倾斜度 传感器控制 温度过高 掉落 滑移 蜡台 卸片 卸载 加热 轨道
【权利要求书】:

1.一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法,其特征在于,所述碳化硅铜抛后卸蜡的方法利用碳化硅晶片卸蜡台和手推治具完成,其中,手推治具将陶瓷盘上的碳化硅晶片推出来,碳化硅晶片在水流的作用下和传感器控制下,将卸载下来的晶片一片一片的装在晶舟盒的指定位置;具体工艺步骤包括:

S10,开启电源开关,启动碳化硅晶片卸蜡台,并开启水龙头喷嘴,使水流到陶瓷盘和晶舟盒和陶瓷盘之间滑移的轨道;

S20,将陶瓷盘放在可以自由旋转的机构平台上,陶瓷盘利用固定销,将其顶住,用手推治具的底面平行贴住陶瓷盘将粘在陶瓷盘上的碳化硅晶片从陶瓷盘上推卸出来;

S30,S20中推卸出来的碳化硅晶片在陶瓷盘上顺着水流沿着滑移轨道流进晶舟盒内;

S40,当用手推治具卸载完成一片碳化硅晶片时,旋转陶瓷盘移至碳化硅晶片需要卸载的位置,紧接着卸载下一片碳化硅晶片,如此反复,直至碳化硅晶片卸载作业完成。

2.根据权利要求1所述的碳化硅铜抛后卸蜡的方法,其特征在于,S10中,所述水龙头喷嘴流速为0.65m/s~1.20m/s。

3.根据权利要求1所述的碳化硅铜抛后卸蜡的方法,其特征在于,S20中,所述可以自由旋转的机构平台倾斜15°~40°。

4.根据权利要求1所述的碳化硅铜抛后卸蜡的方法,其特征在于,S20中,所述手推治具由铁氟龙制作而成,且与可以自由旋转的机构平台倾斜相同角度。

5.根据权利要求1所述的碳化硅铜抛后卸蜡的方法,其特征在于,S30中,所述碳化硅晶片流进晶舟盒过程中,当碳化硅晶片通过滑移轨道中间的光学传感器时,光学传感器自动计数一次且将信息传递到控制导轨上下移动的电机。

6.根据权利要求5所述的碳化硅铜抛后卸蜡的方法,其特征在于,所述导轨固定在倾斜25°~37°的支撑架上,电机转动带动固定晶舟盒导轨上下运动,从而带动晶舟盒上下运动。

7.根据权利要求5所述的碳化硅铜抛后卸蜡的方法,其特征在于,所述碳化硅晶片流进晶舟盒过程中,每经过一片碳化硅晶片,光学传感器根据一次感应,晶舟盒随导轨下移2mm~5mm。

8.根据权利要求1所述的碳化硅铜抛后卸蜡的方法,其特征在于,S40中,所述如此反复过程中,当晶舟盒装满碳化硅晶片或着当陶瓷盘上的碳化硅晶片全部卸载完时,启动按钮,固定晶舟盒的机构自动的上升到原点,取下装有碳化硅晶片的晶舟盒,更换空的晶舟盒,进行下一轮作业。

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