[发明专利]一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法

说明书

本发明公开一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法，所述碳化硅铜抛后卸蜡的方法利用碳化硅晶片卸蜡台和手推治具完成，其中，手推治具将陶瓷盘上的碳化硅晶片推出来，碳化硅晶片在水流的作用下和传感器控制下，将卸载下来的晶片一片一片的装在晶舟盒的指定位置；本发明碳化硅铜抛后卸蜡的方法，将陶瓷盘放在一定倾斜度且可以旋转的平台上，然后用手推治具，将碳化硅晶片推出来，顺着水流到晶舟盒内，晶舟盒和陶瓷盘之间设有安装光学传感器的滑移轨道，通过光学传感器，调节晶舟盒位置，这样在碳化硅晶片卸片过程中，既可以不用加热，又可以避免温度过高导致晶片在手上失去保护、掉落等异常情况。

技术领域

本发明涉及晶体加工技术领域，具体涉及一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法。

背景技术

碳化硅作为三代半导体材料的运用因其具有宽禁带，高击穿场，大热导率，电子饱和漂移速度高，抗辐射强和良好化学稳定性的优越性质，成为新一代微电子器件和电路的关键半导体材料，碳化硅与制作大功率微波、电力电子、光电器件的重要材料GaN之间具有非常好的匹配度，是碳化硅成为新一代宽带半导体器件的重要衬底材料。未来将应用在节能减排、信息技术、国防三大领域催生上万亿元潜在市场，成为未来新能源发展的方向之一。

然而，碳化硅材料作为外延的衬底材料，对其表面质量具有很强的需求，需要经过一系列的加工工艺，其中碳化硅铜抛也是必不可少的一部分，否则将会影响到外延的品质。因此，碳化硅在铜抛前，需要将碳化硅晶片用液态蜡贴在陶瓷盘上进行精加工，然而，碳化硅晶片铜抛后，需要将碳化硅晶片从陶瓷盘上卸下来。

现有的碳化硅晶片铜抛后卸蜡方法，主要是将铜抛后粘有碳化硅晶片的陶瓷盘放在加热器上进行烘烤使蜡融化，然后再用手将碳化硅晶片从陶瓷盘上一片一片取下来。然而在取片的过程中，由于陶瓷盘在加热器上烘烤，导致陶瓷盘和晶片会发烫，人员在卸片过程中，容易被烫到从而使晶片掉下或轻微撞到陶瓷盘，造成晶片崩角或开裂。而且陶瓷盘在加热器上烘烤需要一定的时间，陶瓷盘上的蜡才能融化，影响加工效率。

中国专利CN106863025A公开一种2吋、4吋蓝宝石衬底背面缺陷修复加工方法，首先选用晶片贴片上蜡机将衬底的正面贴在陶瓷盘上，再讲陶瓷盘放入自制游星轮中，通过双面研磨设备进行研磨，将研磨后的衬底进行脱胶、清洗、退火、抛光；经修复后的蓝宝石衬底，其质量指标俊达到行业标准。但是，此发明中，对蓝宝石的抛光后的卸蜡方法并没有说明，传统卸蜡方法中容易因为加热时间较长造成镜片裂纹，对蓝宝石晶片的品质会造成影响。

因此，需要提供一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法，解决加热陶瓷盘使蜡溶解的时间过长，同时避免人为取放片，造成晶片掉落，出现崩角、裂片等异常的风险问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法，可以有效改善碳化硅晶片铜抛后烘烤卸蜡，存在烘烤后时间长、温度太高人员难以作业，而且加工效率地下，温度太高易导致晶片在手上失去保护、掉落等情况，从而使碳化硅晶片出现裂痕和崩角等的异常的问题。

为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法，其特征在于，碳化硅铜抛后卸蜡的方法利用碳化硅晶片卸蜡台和手推治具完成，其中，手推治具将陶瓷盘上的碳化硅晶片推出来，碳化硅晶片在水流的作用下和传感器控制下，将卸载下来的晶片一片一片的装在晶舟盒的指定位置；具体工艺步骤包括：

S10，开启电源开关，启动碳化硅晶片卸蜡台，并开启水龙头喷嘴，使水流到陶瓷盘和晶舟盒和陶瓷盘之间滑移的轨道；

S20，将陶瓷盘放在可以自由旋转的机构平台上，陶瓷盘利用固定销，将其顶住，防止陶瓷盘在有一定斜度的坡上下滑，用手推治具的底面平行贴住陶瓷盘将粘在陶瓷盘上的碳化硅晶片从陶瓷盘上推卸出来；

S30，S20中推卸出来的碳化硅晶片在陶瓷盘上顺着水流沿着滑移轨道流进晶舟盒内；