[发明专利]CMOS温度传感器

权利要求书

1.一种CMOS温度传感器，包括：

带隙基准电路，使用与温度成反比的第一电压和与温度成正比的第二电压来提供与温度无关的带隙基准电压，并且还使用第二电压来提供与温度成正比的第一电流；

基准电压产生器，复制第一电流并提供使用第一电压和复制的第一电流产生的基准电压；

温度信息电压产生器，复制第一电流并使用复制的第一电流提供与温度成正比的温度信息电压，

其中，温度信息电压产生器包括：电流源，控制与基准电压成反比的温度信息电压的电平。

2.根据权利要求1所述的CMOS温度传感器，其中，带隙基准电路包括：第一BJT和第二BJT，第一BJT和第二BJT具有共同连接的基极端，

第一电压是第一BJT的基极-发射极电压，第二电压是第一电压与第二BJT的基极-发射极电压之间的差。

3.根据权利要求2所述的CMOS温度传感器，其中，带隙基准电路还包括：第一电阻器，连接到第二BJT，第一电流是响应于第二电压而流过第一电阻器的电流。

4.根据权利要求1所述的CMOS温度传感器，其中，电流源控制温度信息电压的电平，使得温度信息电压的电平不高于基准电压的电平。

5.根据权利要求1所述的CMOS温度传感器，其中，带隙基准电路包括：第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管具有共同连接在节点处的栅极并将第一电流均等地分流。

6.根据权利要求5所述的CMOS温度传感器，其中，基准电压产生器和温度信息电压产生器分别接收所述节点处的电压电平，并使用所述节点处的电压电平分别复制第一电流。

7.根据权利要求5所述的CMOS温度传感器，其中，基准电压产生器还包括：电流源，接收所述节点处的电压电平并提供第一电流。

8.根据权利要求7所述的CMOS温度传感器，其中，电流源包括具有与第一晶体管的大小不同的大小的至少一个晶体管。

9.根据权利要求1所述的CMOS温度传感器，还包括：

模数转换器ADC，接收基准电压和温度信息电压，并执行温度信息电压的模数转换以提供温度信息信号。

10.根据权利要求1所述的CMOS温度传感器，其中，基准电压使用第一电压、复制的第一电流和基准电压产生器中的第二电阻器的第二电阻被产生，

温度信息电压通过使用复制的第一电流、基准电压、电流源中的第四电阻器的第四电阻和温度信息电压产生器中的第三电阻器的第三电阻被产生。

11.一种CMOS温度传感器，包括：

带隙基准电路，使用与温度成反比的第一电压和与温度成正比的第二电压，提供与温度无关的带隙基准电压；

基准电压产生器，提供通过使用第二电压校正第一电压而产生的基准电压；

温度信息电压产生器，基于第二电压产生与温度成正比的温度信息电压。

12.根据权利要求11所述的CMOS温度传感器，其中，带隙基准电路包括：第一BJT和第二BJT，第一BJT和第二BJT具有共同连接的基极端，第一电压是第一BJT的基极-发射极电压，第二电压是第一电压与第二BJT的基极-发射极电压之间的差。

13.根据权利要求11所述的CMOS温度传感器，其中，温度信息电压产生器包括：电流源，响应于基准电压来控制温度信息电压的电平。

14.根据权利要求13所述的CMOS温度传感器，其中，电流源控制温度信息电压的电平，使得温度信息电压的电平不高于基准电压的电平。