[发明专利]CMOS温度传感器

说明书

提供一种CMOS温度传感器。所述CMOS温度传感器，包括：带隙基准电路，使用与温度成反比的第一电压和与温度成正比的第二电压输出与温度无关的恒定的带隙基准电压，并使用第二电压产生与温度成正比的第一电流；基准电压产生器，复制第一电流并输出使用第一电压和复制的第一电流产生的基准电压；温度信息电压产生器，复制第一电流并输出与温度成正比的温度信息电压。

本申请要求于2018年3月8日提交的第10-2018-0027317号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及高精度CMOS温度传感器以及相关的操作方法。

背景技术

各种半导体电路、组件和/或元件的性能会受到由于半导体或其组成元件的操作引起的热量的实质性影响。因此，为了确保半导体电路、组件和元件的可接受的性能，由半导体装置产生的热量的精确指示是需要的。

互补金属氧化物半导体(CMOS)温度传感器广泛用于测量半导体装置和/或其组成组件和元件的温度。然而，CMOS温度传感器的精度可根据与包括在CMOS传感器中的元件的制造相关联的工艺变化而变化。

发明内容

本发明构思的一个方面提供一种能够确保精度的高精度CMOS温度传感器。

本发明构思的另一方面提供一种操作能够确保精度的高精度CMOS温度传感器的方法。

根据本发明构思的一些方面，一种CMOS温度传感器包括：带隙基准电路，使用与温度成反比的第一电压和与温度成正比的第二电压来提供与温度无关的带隙基准电压，并且还使用第二电压来提供与温度成正比的第一电流；基准电压产生器，复制第一电流并提供使用第一电压和复制的第一电流产生的基准电压；温度信息电压产生器，复制第一电流并提供与温度成正比的温度信息电压。

带隙基准电路可包括：第一BJT和第二BJT，第一BJT和第二BJT具有共同连接的基极端。第一电压可以是第一BJT的基极-发射极电压，第二电压可以是第一电压与第二BJT的基极-发射极电压之间的差。

带隙基准电路可包括：第一电阻器，连接到第二BJT。第一电流可以是响应于第二电压而流过第一电阻器的电流。

温度信息电压产生器可包括：电流源，响应于基准电压来控制温度信息电压的电平。

电流源可控制温度信息电压的电平，使得温度信息电压的电平不高于基准电压的电平。

带隙基准电路可包括：第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管具有共同连接在节点处的栅极并将第一电流均等地分流。

基准电压产生器和温度信息电压产生器可分别接收所述节点处的电压电平，并使用所述节点处的电压电平分别复制第一电流。

基准电压产生器还可包括：电流源，接收所述节点处的电压电平并提供第一电流。

电流源可包括具有与第一晶体管的大小不同的大小的至少一个晶体管。

所述CMOS温度传感器还可包括：模数转换器ADC，接收基准电压和温度信息电压，并执行温度信息电压的模数转换以提供温度信息信号。

根据本发明构思的一些方面，一种CMOS温度传感器包括：带隙基准电路，关于与温度成反比的第一电压和与温度成正比的第二电压，提供与温度无关的带隙基准电压；基准电压产生器，提供通过将第一电压校正为第二电压而产生的基准电压；温度信息电压产生器，基于第二电压产生与温度成正比的温度信息电压。

带隙基准电路可包括：第一BJT和第二BJT，第一BJT和第二BJT具有共同连接的基极端。第一电压可以是第一BJT的基极-发射极电压，第二电压可以是第一电压与第二BJT的基极-发射极电压之间的差。