[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811283753.2 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109728095A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 罗文勋;张聿骐;徐英杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道区 阈值电压调整 半导体装置 栅极电极 衬底 半导体 源极/漏极区 邻近 沟道宽度方向 掺杂类型 沟道 制造 | ||
1.一种半导体装置，其包括：
半导体衬底；
栅极电极，其在所述半导体衬底上方；
沟道区，其在所述半导体衬底与所述栅极电极之间；
一对源极/漏极区，其在沟道长度方向上邻近于所述沟道区的两个相对侧；及
阈值电压调整区，其在沟道宽度方向上邻近于所述沟道区的两个相对侧，其中所述阈值电压调整区及所述沟道区具有相同掺杂类型。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括所述半导体衬底中的隔离结构。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述隔离结构包括所述半导体衬底的沟槽中的浅沟槽隔离STI。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述阈值电压调整区是在所述STI的侧壁中。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述阈值电压调整区的掺杂浓度高于所述沟道区的掺杂浓度。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述阈值电压调整区的所述掺杂浓度与所述沟道区的所述掺杂浓度的比率大体上在从约1.1到约2.0的范围中。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述沟道区包含靠近所述阈值电压调整区的边缘区，及远离所述阈值电压调整区的中心区，且所述边缘区处的第一阈值电压高于所述中心区中的第二阈值电压。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一阈值电压与所述第二阈值电压的比率大体上在从1.1到1.5的范围中。
9.一种半导体装置，其包括：
半导体衬底；
栅极电极，其在所述半导体衬底上方；
沟道区，其在所述半导体衬底与所述栅极电极之间，其中所述沟道区包含中心区，及在沟道宽度方向上邻接于所述中心区的边缘区；及
一对源极/漏极区，其在沟道长度方向上邻近于所述沟道区的两个相对侧；
其中所述边缘区处的所述半导体装置的第一阈值电压高于所述中心区中的所述半导体装置的第二阈值电压。
10.一种用于制造半导体装置的方法，其包括：
接纳半导体衬底；
在所述半导体衬底中形成沟道区；
在本地调整所述沟道区的阈值电压以使所述沟道区的边缘区的第一阈值电压高于所述沟道区的中心区的第二阈值电压；
在所述半导体衬底上方形成栅极电极；及
在所述半导体衬底中形成一对源极/漏极区。
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