[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本揭露涉及一种半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，其包含半导体衬底、栅极电极、一对源极/漏极区及阈值电压调整区。所述栅极电极是在所述半导体衬底上方。沟道区是在所述半导体衬底与所述栅极电极之间。所述源极/漏极区在沟道长度方向上邻近于所述沟道区的两个相对侧。所述阈值电压调整区在沟道宽度方向上邻近于所述沟道区的两个相对侧，其中所述阈值电压调整区及所述沟道区具有相同掺杂类型。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

半导体装置(例如场效晶体管(FET))遭受闪烁噪声问题。闪烁噪声被视为电荷载子的捕获及释放(de-trapping)所引起。闪烁噪声降级可为低频率模拟电路及高性能数字电路两者的重要问题，且因此期望降低闪烁噪声。

发明内容

本发明的实施例涉及一种半导体装置，其包括：半导体衬底；栅极电极，其在所述半导体衬底上方；沟道区，其在所述半导体衬底与所述栅极电极之间；一对源极/漏极区，其在沟道长度方向上邻近于所述沟道区的两个相对侧；及阈值电压调整区，其在沟道宽度方向上邻近于所述沟道区的两个相对侧，其中所述阈值电压调整区及所述沟道区具有相同掺杂类型。

本发明的实施例涉及一种半导体装置，其包括：半导体衬底；栅极电极，其在所述半导体衬底上方；沟道区，其在所述半导体衬底与所述栅极电极之间，其中所述沟道区包含中心区，及在沟道宽度方向上邻接于所述中心区的边缘区；及一对源极/漏极区，其在沟道长度方向上邻近于所述沟道区的两个相对侧；其中所述边缘区处的所述半导体装置的第一阈值电压高于所述中心区中的所述半导体装置的第二阈值电压。

本发明的实施例涉及一种用于制造半导体装置的方法，其包括：接纳半导体衬底；在所述半导体衬底中形成沟道区；在本地调整所述沟道区的阈值电压以使所述沟道区的边缘区的第一阈值电压高于所述沟道区的中心区的第二阈值电压；在所述半导体衬底上方形成栅极电极；及在所述半导体衬底中形成一对源极/漏极区。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下实施方式最优选理解本发明实施例的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种结构不按比例绘制。实际上，为清晰论述，各种结构的尺寸可任意增大或减小。

图1是绘示根据本公开的一或多项实施例的各种方面的用于制造半导体装置的方法的流程图。

图2、图2A、图2B、图3、图3A、图3B、图4、图4A、图4B、图5、图5A、图5B、图6、图6A、图6B、图7、图7A、图7B、图8、图8A、图8B、图9、图9A、图9B、图10、图10A、图10B、图11、图11A、图11B、图12、图12A、图12B及图13是根据本公开的一或多项实施例的制造半导体装置的各种操作的一个的示意图。

图14是绘示阈值电压调整区及沟道区的掺杂量变曲线的图。

具体实施方式

下列公开提供用于实施所提供主题的不同构件的许多不同实施例或实例。在下文描述元件及布置的特定实例以简化本发明实施例。当然，此些仅为实例且并不打算为限制性的。例如，在下列描述中的将第一构件形成在第二构件上方或上可包含其中将第一构件及第二构件形成为直接接触的实施例，且还可包含其中可在第一构件与第二构件之间形成额外构件使得第一构件及第二构件可不直接接触的实施例。另外，本发明实施例可在各种实例中重复参考数字及/或字母。此重复是出于简单及清楚的目的，且本身并不指示各种实施例及/或所论述配置之间的关系。

此外，为便于描述，可在本文中使用例如“在…下方”、“在…下”、“下”、“在…上方”、“上”、“在…上”及类似物的空间相对术语以描述一个元件或构件与另一(若干)元件或构件的关系(如在图中绘示)。除图中描绘的定向外，空间相对术语还打算涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或成其它定向)且因此同样可解释本文中使用的空间相对描述符。