[发明专利]感光组件及其形成方法、镜头模组、电子设备

权利要求书

1.一种感光组件的形成方法，其特征在于，包括：

提供透光盖板；

提供感光芯片，包括感光区以及环绕所述感光区的外围区，所述外围区形成有焊盘；

通过粘合层将所述透光盖板贴装在所述感光芯片上，所述粘合层由粘合材料层通过光刻工艺图形化形成，所述粘合层位于所述外围区，且所述透光盖板、粘合层和感光芯片围成容纳所述感光区的空腔；

形成密封层，所述密封层保形覆盖所述粘合层侧壁和透光盖板侧壁，所述密封层增加了所述空腔的密封性，提高感光组件的防水能力，所述密封层的材料为环氧类胶、全氟癸基三氯硅烷、四氢辛基三氯硅烷、四氢辛基甲基二氯硅烷或十八烷基三氯硅烷；

形成所述密封层的步骤包括：进行至少一次表面处理；其中，

所述表面处理的步骤包括：形成密封材料层，所述密封材料层保形覆盖所述透光盖板的顶部和侧壁、所述粘合层的侧壁、以及所述透光盖板露出的感光芯片；采用无掩膜干法刻蚀工艺，去除所述透光盖板的顶部、以及所述感光芯片上的密封材料层，保留所述粘合层侧壁和透光盖板侧壁上的剩余密封材料层作为所述密封层；

或者，形成密封层，所述密封层保形覆盖所述透光盖板的顶部和侧壁、所述粘合层的侧壁、以及所述透光盖板露出的感光芯片，所述密封层具有透光性，所述密封层增加了所述空腔的密封性，提高感光组件的防水能力，所述密封层的材料为全氟癸基三氯硅烷、四氢辛基三氯硅烷、四氢辛基甲基二氯硅烷或十八烷基三氯硅烷。

2.如权利要求1所述的感光组件的形成方法，其特征在于，所述表面处理的次数为1次至8次。

3.如权利要求1所述的感光组件的形成方法，其特征在于，利用分子气相沉积工艺或旋涂工艺形成所述密封材料层，或者，所述密封层保形覆盖所述透光盖板的顶部和侧壁、所述粘合层的侧壁、以及所述透光盖板露出的感光芯片的情况时，所述密封层利用分子气相沉积工艺或旋涂工艺形成。

4.如权利要求3所述的感光组件的形成方法，其特征在于，所述分子气相沉积工艺的参数包括：工艺时间为15分钟至60分钟，工艺温度为20℃至100℃。

5.如权利要求1所述的感光组件的形成方法，其特征在于，所述密封层的透光率大于或等于98%。

6.如权利要求1所述的感光组件的形成方法，其特征在于，位于所述粘合层侧壁和透光盖板侧壁的密封层厚度为10Å至100nm。

7.如权利要求1所述的感光组件的形成方法，其特征在于，位于所述透光盖板顶部的密封层厚度为10Å至100Å。

8.一种感光组件，其特征在于，包括：

感光芯片，包括感光区以及环绕所述感光区的外围区，所述外围区形成有焊盘；

透光盖板，通过粘合层贴装在所述感光芯片上，所述粘合层由粘合材料层通过光刻工艺图形化形成，所述粘合层位于所述外围区，且所述透光盖板、粘合层和感光芯片围成容纳所述感光区的空腔；

密封层，保形覆盖所述粘合层侧壁和透光盖板侧壁，所述密封层增加了所述空腔的密封性，提高感光组件的防水能力，所述密封层的材料为环氧类胶、全氟癸基三氯硅烷、四氢辛基三氯硅烷、四氢辛基甲基二氯硅烷或十八烷基三氯硅烷。

9.如权利要求8所述的感光组件，其特征在于，所述密封层保形覆盖所述透光盖板的顶部和侧壁、所述粘合层的侧壁、以及所述透光盖板露出的感光芯片。

10.如权利要求9所述的感光组件，其特征在于，所述密封层具有透光性。

11.如权利要求10所述的感光组件，其特征在于，所述密封层的透光率大于或等于98%。

12.如权利要求8或9所述的感光组件，其特征在于，位于所述粘合层侧壁和透光盖板侧壁的密封层厚度为10Å至100nm。