[发明专利]量子点薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法

权利要求书

1.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供量子点溶液，所述量子点溶液中含有表面结合有表面配体的量子点；

将所述量子点溶液沉积在基底上，得到初始量子点薄膜；

将所述初始量子点薄膜进行加热处理以使所述表面配体裂解和蒸发，所述初始量子点薄膜中的目标元素的质量百分含量小于1％后，置于含有水和/或氧的气氛中进行紫外光照处理，得到所述量子点薄膜；其中，所述目标元素为不含碳元素和所述量子点元素的剩余表面配体元素。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述加热处理的温度为100-200℃；和/或

所述加热处理的时间为5-50min。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述紫外光照处理的时间为5-20min；

和/或，所述含有水的气氛具体是指相对湿度为65-85％的气氛。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在进行所述紫外光照处理之前，还包括对所述加热处理后的初始量子点薄膜中的量子点表面配体含量进行检测，且在所述初始量子点薄膜中的目标元素的质量百分含量小于1％以后，再进行紫外光照处理。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，对所述加热处理后的初始量子点薄膜中的量子点表面配体含量进行检测的方法为扫描电镜分析法或透射电镜分析法。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，对所述加热处理后的初始量子点薄膜中的量子点表面配体含量进行检测，且在所述初始量子点薄膜中的目标元素的质量百分含量小于1％以后，再进行紫外光照处理的步骤包括：

对第一次加热处理后的初始量子点薄膜中的量子点表面配体含量进行检测后，如果所述目标元素的质量百分含量小于1％，则将所述第一次加热处理后的量子点薄膜直接置于含有水和/或氧的气氛中进行紫外光照处理；

对第一次加热处理后的初始量子点薄膜中的量子点表面配体含量进行检测后，如果所述目标元素的质量百分含量等于或大于1％，则进行第二次加热处理，对所述第二次加热处理后的量子点薄膜中的量子点表面配体含量进行检测，如果所述目标元素的质量百分含量小于1％，则将所述第二次加热处理后的量子点薄膜置于含有水和/或氧的气氛中进行紫外光照处理；如果所述目标元素的质量百分含量等于或大于1％，则继续重复上述加热处理和量子点表面配体含量检测的步骤至所述目标元素的质量百分含量小于1％后，进行紫外光照处理。

7.如权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述表面配体选自硫醇、羧酸、胺基化合物、烷基磷、烷基氧膦和烷基磷酸中的至少一种；和/或

所述量子点选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、PbSe、PbS、CdTe、CdZnSe、CdSeS、PbSeS、ZnCdTe、CdS/ZnS、CdZnS/ZnS、CdZnSe/ZnSe、CdSeS/CdSeS/CdS、CdSe/CdZnSe/CdZnSe/ZnSe、CdZnSe/CdZnSe/ZnSe、CdS/CdZnS/CdZnS/ZnS、CuInS₂、CuInSe₂、CsPbCl₃、CsPbBr₃和CsPbI₃中的至少一种。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述硫醇选自一硫醇、二硫醇、巯基醇、巯基胺和巯基酸中的至少一种；和/或

所述胺基化合物包括油胺、辛胺、二辛胺、三辛胺、壬胺、二壬胺、三壬胺、癸胺、十一胺、十二胺、十三胺、十四胺、十五胺、十六胺、十七胺和十八胺中的至少一种；和/或

所述烷基磷酸选自十烷基磷酸、十一烷基磷酸、十二烷基磷酸、十三烷基磷酸、十四烷基磷酸、十五烷基磷酸、十六烷基磷酸和十八烷基磷酸中的至少一种；和/或

所述烷基磷选自三丁基膦、三戊基膦、三己基膦、三庚基膦、三辛基膦、三壬基膦和三癸基膦中的至少一种；和/或

所述烷基氧膦选自三丁基氧膦、三戊基氧膦、三己基氧膦、三庚基氧膦、三辛基氧膦、三壬基氧膦和三癸基氧膦中的至少一种。