[发明专利]量子点薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法

说明书

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法。所述量子点薄膜的制备方法包括如下步骤：提供量子点溶液，所述量子点溶液中含有表面结合有表面配体的量子点；将所述量子点溶液沉积在基底上，得到初始量子点薄膜；将所述初始量子点薄膜进行加热处理后，置于含有水和/或氧的气氛中进行紫外光照处理，得到所述量子点薄膜。所述制备方法工艺简单易行，制备成本低，不仅能有效去除量子点薄膜中结合在量子点上的表面配体，还能对量子点表面进行钝化以降低表面缺陷，从而提高量子点薄膜的发光强度。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法。

背景技术

量子点由于具有高的量子效率、窄的激发光谱、独特的尺寸依赖激发光谱和良好的溶液加工兼容性等优异特性，在高色彩质量显示方面有着巨大的应用潜力。随着量子效率提升及电致发光原理、激子衰减机制、器件结构优化和电荷有效输运等研究的持续深入，QLED的发光效率从小于0.01％提升到20.5％，已接近商业化OLED的效率。

目前，有机相中制备的量子点具有较高的荧光量子产率、较窄的荧光半峰宽、较好的单分散性和稳定性、粒径可控等优点。在有机相中制备量子点主要采用有机金属法，即在高沸点的有机溶剂中通过前驱体的热解制备量子点的方法。将有机金属前驱体溶液注入250-300℃的配体溶液中，前驱体在高温条件下迅速热解并成核，晶核缓慢生长成为量子点。通过配体的吸附作用阻止晶核生长，并稳定存在于溶剂中。然而，这些配体在量子点周围形成了一个绝缘层，阻碍了光电器件中有效的电荷注入。目前，多数研究采用加入极性溶剂多次清洗量子点的方法来控制量子点表面的配体密度，从而提高量子点在器件中的整体性能。但是，多次清洗可能导致量子点严重团聚和质量损失，使量子点的发光强度降低。常见的量子点表面配体为羧酸、胺、烷基磷、烷基氧膦、烷基磷酸、硫醇等。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法，旨在解决现有量子点表面结合的表面配体影响器件的发光性能的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种量子点薄膜的制备方法，包括如下步骤：

提供量子点溶液，所述量子点溶液中含有表面结合有表面配体的量子点；

将所述量子点溶液沉积在基底上，得到初始量子点薄膜；

将所述初始量子点薄膜进行加热处理后，置于含有水和/或氧的气氛中进行紫外光照处理，得到所述量子点薄膜。

本发明提供的量子点薄膜的制备方法，先将基底上制得的初始量子点薄膜进行加热处理，这样结合在量子点表面的表面配体会发生裂解并随着加热过程而蒸发，从而使初始量子点薄膜中的表面配体去除；当表面配体蒸发后，量子点处于裸露状态并出现表面缺陷，此时量子点可能出现团聚和发光强度降低的现象，因此初始量子点薄膜经加热处理后再置于含有水和/或氧的气氛中进行紫外光照处理，水和/或氧在紫外光的光激活作用下，会与裸露的量子点表面反应形成一层氧化物，该氧化物可以钝化量子点，减少量子点的电子向外迁移，通过对量子点的表面缺陷进行修复、平滑，最终提高了量子点薄膜的发光强度。总之，该制备方法工艺简单易行，制备成本低，不仅能有效去除量子点薄膜中结合在量子点上的表面配体，还能对量子点表面进行钝化以降低表面缺陷，从而提高量子点薄膜的发光强度。

本发明另一方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

提供基板；

在所述基板上制备量子点发光层；其中，在所述基板上制备量子点发光层的方法为本发明的上述制备方法。