[发明专利]微元件的加工装置及焊接方法、显示面板有效
申请号: | 201811290468.3 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN111128790B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 李晓伟 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/50 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 加工 装置 焊接 方法 显示 面板 | ||
1.一种微元件的加工装置,其特征在于,所述加工装置包括:
承载台,用于承载放置所述微元件的基板;
电磁加热单元,对应所述微元件设置于所述承载台中;
控制电路,耦接所述电磁加热单元,用于单独控制每个所述电磁加热单元产生交变电磁场,所述交变电磁场作用于所述微元件上的磁体或所述基板上的磁体以产生热能,进而将所述微元件焊接在所述基板上;
其中,所述电磁加热单元数量为多个,且呈阵列排布,所述电磁加热单元中设置有电感线圈,所述电感线圈与所述控制电路耦接,所述控制电路用于对所述电感线圈施加脉冲交变电流,以使所述电感线圈产生交变电磁场。
2.根据权利要求1所述的加工装置,其特征在于,
所述控制电路具体用于接收对选定所述微元件进行焊接的指令,响应所述指令施加脉冲交变电流至对应所述选定微元件的所述电感线圈,以使所述电感线圈产生交变电磁场。
3.一种显示面板,其特征在于,包括:
显示基板;
微元件,数量为多个,且呈阵列排布地焊接于所述显示基板;
磁体,设置于所述显示基板朝向所述微元件一侧,或设置于所述微元件朝向所述显示基板一侧,用于单独感应外界交变电磁场以产生热能,进而将选定的所述微元件焊接于所述显示基板;
其中,所述外界交变电磁场由电磁加热单元产生,所述电磁加热单元数量为多个,且呈阵列排布,所述电磁加热单元中设置有电感线圈,通过所述电感线圈产生所述外界交变电磁场。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述磁体为铁磁性金属电极。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述铁磁性金属电极至少包含铁或钴或镍中的任一种金属。
6.一种微元件的焊接方法,其特征在于,包括:
微元件的加工装置接收对选定所述微元件进行焊接的指令,所述加工装置包括承载台、电磁加热单元以及控制电路,所述承载台用于承载放置所述微元件的基板,所述电磁加热单元对应所述微元件设置于所述承载台中,所述控制电路耦接所述电磁加热单元;
所述控制电路响应所述指令,控制对应所述选定微元件的电磁加热单元产生交变电磁场,通过交变电磁场使所述微元件上的磁体或基板上的磁体产生热能,进而将所述微元件焊接在所述基板上;
其中,所述电磁加热单元数量为多个,且呈阵列排布,所述电磁加热单元中设置有电感线圈,所述电感线圈与所述控制电路耦接;所述控制对应所述选定微元件的电磁加热单元产生交变电磁场的步骤包括:向对应所述选定微元件的所述电感线圈施加脉冲交变电流,以使所述电感线圈产生所述交变电磁场。
7.根据权利要求6所述的焊接方法,其特征在于,所述通过交变电磁场使所述微元件上的磁体或基板上的磁体产生热能,进而将所述微元件焊接在所述基板上的步骤包括:
通过交变电磁场使位于交变电磁场中的所述微元件上的所述磁体或所述基板上的所述磁体产生热能;
通过所述磁体产生的热能对焊料进行加热,进而通过所述焊料将所述微元件焊接在所述基板上。
8.根据权利要求6所述的焊接方法,其特征在于,所述磁体为铁磁性金属电极,所述铁磁性金属电极至少包含铁或钴或镍中的任一种金属。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都辰显光电有限公司,未经成都辰显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811290468.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:微元件的转移装置及其转移方法
- 下一篇:一种微器件转移装置及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造