[发明专利]微元件的加工装置及焊接方法、显示面板有效
申请号: | 201811290468.3 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN111128790B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 李晓伟 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/50 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 加工 装置 焊接 方法 显示 面板 | ||
本申请公开了一种微元件的加工装置及焊接方法、显示面板,该加工装置包括:承载台,用于承载放置微元件的基板;电磁加热单元,对应微元件设置于承载台中;控制电路,耦接电磁加热单元,用于单独控制每个电磁加热单元产生交变电磁场,作用于微元件上的磁体或基板上的磁体以产生热能,进而将微元件焊接在基板上。通过使用本申请的加工装置不会使已转移至基板相应区域的微元件的位置发生偏移,进而能提高微元件的转移效果。
技术领域
本申请涉及微元件处理技术领域,特别是涉及一种微元件的加工装置及焊接方法、显示面板。
背景技术
微元件显示技术是指在基板上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前,微间距发光二极管(Micro-LED)技术逐渐成为研究热门,相对于有机发光二极管(OLED)技术来说,Micro-LED由于具有高寿命、高亮度、低功耗等优势,其在显示领域具有很强的应用前景。
为了实现全彩色的Micro-LED显示,现有技术中通常采用微LED转移到接收基板的方式来实现,具体的,通过转移头分批次对应拾取红、绿、蓝三色LED微粒,并将分批次对应拾取的红、绿、蓝三色LED微粒分别转移至接收基板对应区域。
但是在转移的过程中,容易导致已转移至接收基板相应区域的LED微粒的位置发生偏移,影响Micro-LED阵列的显示效果。
发明内容
本申请主要提供一种微元件的加工装置及焊接方法、显示面板,能提高微元件的转移效果。
为解决上述技术问题,本申请采用的第一个技术方案是提供一种微元件的加工装置,该加工装置包括:承载台,用于承载放置微元件的基板;电磁加热单元,对应微元件设置于承载台中;控制电路,耦接电磁加热单元,用于单独控制每个电磁加热单元产生交变电磁场,作用于微元件上的磁体或基板上的磁体以产生热能,进而将微元件焊接在基板上。
为解决上述技术问题,本申请采用的第二个技术方案是提供一种显示面板,该显示面板包括:显示基板;微元件,数量为多个,且呈阵列排布地焊接于显示基板;磁体,设置于显示基板朝向微元件一侧,或设置于微元件朝向显示基板一侧,用于单独感应外界交变电磁场以产生热能,进而将选定的微元件焊接于显示基板。
为解决上述技术问题,本申请采用的第三个技术方案是提供一种微元件的焊接方法,该焊接方法包括:微元件的加工装置接收对选定微元件进行焊接的指令,加工装置包括承载台、电磁加热单元以及控制电路,承载台用于承载放置微元件的基板,电磁加热单元对应微元件设置于承载台中,控制电路耦接电磁加热单元;控制电路响应指令,控制对应选定微元件的电磁加热单元产生交变电磁场,通过交变电磁场使微元件上的磁体或基板上的磁体产生热能,进而将微元件焊接在基板上。
本申请的有益效果是:本申请实施例在控制电路接收到对选定微元件进行焊接的指令时,控制对应选定微元件的电磁加热单元产生交变电磁场,以使微元件上的磁体或基板上的磁体产生热能,进而将微元件焊接在基板上。由于只控制对应选定微元件的电磁加热单元产生交变电磁场,从而不会使已转移至基板相应区域的微元件的位置发生偏移,进而能提高微元件的转移效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。其中:
图1是本申请提供的微元件的加工装置一实施方式的结构示意图;
图2是本申请提供的微元件的加工装置对微元件焊接一实施方式的结构示意图;
图3为将图2中红色发光二极管焊接在基板上的结构示意图;
图4是本申请提供的显示面板一实施方式的结构示意图;
图5是本申请提供的显示面板另一实施方式的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造