[发明专利]微元件转移装置及其制造方法

权利要求书

1.一种微元件的转移装置，其特征在于，包括：

基板，包括平坦表面，所述平坦表面形成有绝缘层；

金属布线，形成于所述基板的平坦表面的所述绝缘层上，包括多个电极驱动单元；

多个硅电极，形成于所述金属布线背对所述基板的一侧上，每一所述硅电极对应一所述电极驱动单元设置，被所述电极驱动单元驱动以拾取或释放所述微元件；

所述金属布线包括依次层叠于所述绝缘层上的粘附金属层和键合金属层，所述硅电极形成于所述键合金属层背对所述基板的一侧上；其中所述硅电极与所述键合金属层晶圆键合连接；

所述电极驱动单元包括电极键合区和驱动导线区；所述硅电极形成于所述电极键合区背对所述基板的一侧上，其中所述粘附金属层形成所述驱动导线区，所述键合金属层形成所述电极键合区。

2.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述多个电极驱动单元阵列排布，所述多个硅电极阵列排布。

3.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述金属布线进一步包括驱动连接片，连接于所述多个电极驱动单元；所述驱动连接片用于与外部电路之间连接，以使得所述外部电路通过所述驱动连接片控制所述电极驱动单元。

4.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述硅电极的表面铺设有电介质层。

5.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述硅电极为低阻硅电极。

6.一种微元件转移装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一基板，所述基板包括平坦表面，在所述平坦表面形成绝缘层；

在所述基板的平坦表面的绝缘层形成金属布线，所述金属布线包括多个电极驱动单元；

在所述金属布线上形成多个硅电极，每一所述硅电极对应一电极驱动单元设置；

在所述金属布线依次层叠于所述绝缘层上的粘附金属层和键合金属层，所述硅电极形成于所述键合金属层背对所述基板的一侧上；其中所述硅电极与所述键合金属层晶圆键合连接；

所述电极驱动单元包括电极键合区和驱动导线区；所述硅电极形成于所述电极键合区背对所述基板的一侧上，其中所述粘附金属层形成所述驱动导线区，所述键合金属层形成所述电极键合区。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在所述金属布线上形成多个硅电极，包括：

在所述金属布线上沉积形成硅电极层；

对所述硅电极层进行图案化处理，以形成所述多个硅电极。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在所述金属布线上形成多个硅电极，包括：

提供一硅片，所述硅片包括衬底层和顶层硅；

对所述顶层硅进行图案化处理，以形成所述多个硅电极；

将形成多个所述硅电极的硅片与形成金属布线的基板键合，使所述硅电极形成于所述金属布线上。