[发明专利]微元件转移装置及其制造方法有效
申请号: | 201811290521.X | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN111128832B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 陈博;邢汝博;郭恩卿;李晓伟;韦冬 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/00 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 转移 装置 及其 制造 方法 | ||
本申请公开一种微元件的转移装置及其制造方法,其中转移装置包括基板、金属布线和多个硅电极。金属布线形成于基板的平坦表面,包括多个电极驱动单元。硅电极形成于金属布线背对基板的一侧,每一硅电极对应一电极驱动单元设置,被电极驱动单元驱动以拾取或释放微元件。本申请所提供的转移装置可以通过静电吸附实现微元件的大量转移,大大提升转移效率。
技术领域
本申请涉及微元件相关技术领域,特别是涉及一种微元件转移装置及其制造方法。
背景技术
人们日常生活所使用的设备中,元件微小化成为发展趋势之一,例如在显示设备中应用微型发光二极管(Micro-LED),即在显示面板上集成多个微小尺寸的发光二极管(LED,Liquid Emitting Diode),成为当前显示技术的发展方向之一。具体由于微型发光二极管具有极高的发光效率和寿命,因此越来越多的企业开始研发微型发光二极管显示面板,微型发光二极管有希望成为下一代显示技术。
对于当前的微型发光二极管显示面板的制造,由于制备工艺的限制,其无法实现微型发光二极管的高效批量转移。
发明内容
本申请提供一种微元件的转移装置及其制造方法,以解决现有技术中无法实现微元件批量转移的问题。
为解决上述技术问题,本申请提出一种微元件的转移装置。转移装置包括:基板、金属布线和多个硅电极。基板包括平坦表面;金属布线,形成于基板的平坦表面,包括多个电极驱动单元。硅电极,形成于金属布线背对基板的一侧,每一硅电极对应一电极驱动单元设置,被电极驱动单元驱动以拾取或释放微元件。
其中,金属布线包括依次层叠于基板上的粘附金属层和键合金属层,硅电极形成于键合金属层背对基板的一侧上。
其中,电极驱动单元包括电极键合区和驱动导线区;硅电极形成于电极键合区背对基板的一侧上。
其中,多个电极驱动单元阵列排布,多个硅电极阵列排布。
其中,金属布线进一步包括驱动连接片,连接于多个电极驱动单元;驱动连接片用于与外部电路之间连接,以使得外部电路通过驱动连接片控制电极驱动单元。
其中,硅电极的表面铺设有电介质层。
其中,硅电极为低阻硅电极。
为解决上述技术问题,本申请提出一种微元件转移装置的制造方法。制造方法包括:提供一基板,基板包括平坦表面。在基板的平坦表面形成金属布线,金属布线包括多个电极驱动单元。在金属布线上形成多个硅电极,每一硅电极对应一电极驱动单元设置。
其中,在金属布线上形成多个硅电极,包括:在金属布线上沉积形成硅电极层;对硅电极层进行图案化处理,以形成多个硅电极。
其中,在金属布线上形成多个硅电极,包括:提供一硅片,硅片包括衬底层和顶层硅;对顶层硅进行图案化处理,以形成多个硅电极;将形成多个硅电极的硅片与形成金属布线的基板键合,使硅电极形成于金属布线上。
本申请微元件转移装置包括基板、金属布线和多个硅电极。金属布线,形成于基板的表面,包括多个电极驱动单元。硅电极,形成于金属布线背对基板的一侧,每一硅电极对应一电极驱动单元设置,被电极驱动单元驱动以拾取或释放微元件。本申请的转移装置采用静电吸附微元件实现了微元件的大批量转移,提高了转移效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请微元件转移装置一实施例的结构示意图;
图2是本申请微元件转移装置另一实施例的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造