[发明专利]电压箝位保护结构及运算放大器输入级结构有效
| 申请号： | 201811291283.4 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109474246B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 钟咏梅;王勇;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52;H03F1/30;H03F3/45 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 箝位 保护 结构 运算放大器 输入 | ||
1.一种运算放大器输入级结构，其特征在于，其正、反向输入端均采用电压箝位保护结构；
所述电压箝位保护结构包括结型场效应晶体管PJFET与二极管D，被保护线路一端连接二极管D的负极，另一端连接结型场效应晶体管PJFET的栅极，PJFET源极连接二极管D的正极，漏极连接负电源；
运算放大器输入级结构，包括输入晶体管Q1和输入晶体管Q2，输入晶体管Q1的集电极和二极管D3的负极连接，二极管D3的正极与结型场效应管PJFET1的源极连接，结型场效应管PJFET1的漏极与负电源VS-连接，结型场效应管PJFET1的栅极与输入晶体管Q1的发射极连接；输入晶体管Q2的集电极和二极管D4的负极连接，二极管D4的正极与结型场效应管PJFET2的源极连接，结型场效应管PJFET2的漏极与负电源VS-连接，结型场效应管PJFET2的栅极与输入晶体管Q2的发射极连接。
2.根据权利要求1所述的运算放大器输入级结构，其特征在于，还包括晶体管Q23～Q28，晶体管Q23的发射极与负电源VS-连接，集电极与晶体管Q25的集电极连接；晶体管Q25的发射极与正电源VS+连接，基极与晶体管Q26的基极连接，晶体管Q25的基极与其集电极连接；晶体管Q26的发射极与正电源VS+连接，集电极与二极管D3的负极连接，且集电极用于连接输入晶体管Q1的集电极；晶体管Q24的基极与晶体管Q21以及晶体管Q23的基极连接，集电极与晶体管Q27的集电极连接，发射极与负电源VS-连接；晶体管Q27的发射极与正电源VS+连接，基极与其集电极以及晶体管Q28的基极连接；晶体管Q28的发射极与正电源VS+连接，集电极与二极管D4的负极连接，晶体管Q28的集电极与输入晶体管Q2的集电极连接。
3.根据权利要求2所述的运算放大器输入级结构，其特征在于，晶体管Q23的发射极与负电源VS-之间串联有电阻R17，晶体管Q24的发射极与负电源VS-之间串联有电阻R18。
4.根据权利要求2所述的运算放大器输入级结构，其特征在于，结型场效应管PJFET1和PJFET2均为P沟道结型场效应管。
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