[发明专利]一种声波器件及其制作方法

权利要求书

1.一种声波器件，其特征在于，所述声波器件为薄膜体声波谐振器，所述器件包括：衬底基板，以及依次设置在衬底基板上的第一电极层、压电层和第二电极层，并所述器件的第一电极层与衬底基板之间是中空的，

所述器件还包括保护层，其中：

所述保护层设置在所述第二电极层的远离所述衬底基板的面上的第一位置处；

所述第一位置为所述第二电极层上与第一重叠区域对应的位置，所述第一重叠区域为所述第一电极层、所述第二电极层和所述压电层之间相互重叠的区域中所述声波器件的有源区所在的区域；

所述器件还包括：设置在所述第一电极层的远离所述衬底基板和所述第二电极层的远离所述衬底基板的面上的导电层，其中：

所述保护层还设置在所述声波器件的远离所述衬底基板一侧的最外层的层级的面上，且不覆盖所述导电层的位置；

所述保护层包括第一子保护层和第二子保护层，其中：

所述第一子保护层设置在所述声波器件的远离所述衬底基板一侧的最外层的层级的面上，且不覆盖所述导电层的位置；

所述第二子保护层设置在所述第二电极层的远离所述衬底基板的面上的所述第一位置处；

所述第二子保护层还设置在所述第一子保护层的远离所述衬底基板的面上；

所述第一子保护层和所述第二子保护层连接在一起；

所述器件还包括：连通所述衬底基板、所述压电层、所述第一电极层和所述第二电极层的第一通孔。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第二电极层的和所述第一重叠区域对应的部分与所述保护层之间的区域是中空的。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第二子保护层与所述第二电极层之间的区域是中空的。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一子保护层所在的位置与所述第一重叠区域所在的位置之间具有预设距离。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件还包括第二通孔，其中：

所述第二通孔设置在所述第二子保护层上，且所述第二通孔与所述第一通孔连通。

6.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，

所述预设距离大于0.001um。

7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，

所述第一子保护层的厚度为0.001um~200um；

所述第二子保护层的厚度为1um~200um。

8.一种根据权利要求1所述的声波器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

形成一衬底基板，并依次在所述衬底基板上形成第一电极层、压电层和第二电极层；

在所述第二电极层的远离所述衬底基板的面上的第一位置处形成保护层；

其中，所述第一位置为所述第二电极层上与第一重叠区域对应的位置，所述第一重叠区域为所述第一电极层、所述第二电极层和所述压电层之间相互重叠的区域中所述声波器件的有源区所在的区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一电极层的远离所述衬底基板的面上，以及所述第二电极层的远离所述衬底基板的面上形成导电层；

在所述声波器件的远离所述衬底基板一侧的最外层的层级的面上，且不覆盖所述导电层的位置形成所述保护层。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述保护层包括第一子保护层和第二子保护层，所述形成所述保护层，包括：

在所述声波器件的远离所述衬底基板一侧的最外层的层级的面上，且不覆盖所述导电层的位置，形成所述第一子保护层；

在所述第二电极层的远离所述衬底基板的面上的所述第一位置处，形成所述第二子保护层；

在所述第一子保护层的远离所述衬底基板的面上形成所述第二子保护层；

其中，所述第一子保护层和所述第二子保护层连接在一起。