[发明专利]一种声波器件及其制作方法

说明书

本发明实施例公开了一种声波器件，所述器件包括：衬底基板，以及依次设置在衬底基板上的第一电极层、压电层和第二电极层，所述器件还包括保护层，其中：所述保护层设置在所述第二电极层的远离所述衬底基板的面上的第一位置处；所述第一位置为所述第二电极层上与第一重叠区域对应的位置，所述第一重叠区域为所述第一电极层、所述第二电极层和所述压电层之间相互重叠的区域中所述声波器件的有源区所在的区域。本发明的实施例同时还公开了一种声波器件的制作方法。

技术领域

本发明涉及半导体领域中的声波器件，尤其涉及一种声波器件及其制作方法。

背景技术

近些年，广泛使用诸如移动电话的通信设备，进而存在使用声波的声波器件被用作通信设备和双工器等的滤波器的情况。作为声波器件的示例，存在使用表面声波(Surface Acoustic Wave，SAW)的器件、使用体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)的器件等。压电薄膜谐振器是使用BAW的器件，并包括膜体声波谐振器(Film Bulk AcousticResonator，FBAR)和固态装配型谐振器(Solidly Mounted Resonator，SMR)等。薄膜体声波谐振器是构成体声波滤波器的核心器件，其性能的好坏决定了体声波滤波器性能的优劣。

但是，声波器件的制作过程中，凸点(Bump)的制作、衬底基板的减薄和声波器件的切割等工艺会影响声波器件的共振区域处形成的“空气桥”结构，进而影响到共振区域，使得声波器件的性能也受到了损害。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例期望提供一种声波器件及其制作方法，解决了声波器件制作过程中存在的制作工艺会对声波器件中的形成的“空气桥”结构产生影响的问题，避免了对声波器件的共振区域的产生影响，进而提高了声波器件的性能。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种声波器件，所述器件包括：衬底基板，以及依次设置在衬底基板上的第一电极层、压电层和第二电极层，所述器件还包括保护层，其中：

所述保护层设置在所述第二电极层的远离所述衬底基板的面上的第一位置处；

所述第一位置为所述第二电极层上与第一重叠区域对应的位置，所述第一重叠区域为所述第一电极层、所述第二电极层和所述压电层之间相互重叠的区域中所述声波器件的有源区所在的区域。

上述方案中，所述器件还包括：设置在所述第一电极层的远离所述衬底基板和所述第二电极层的远离所述衬底基板的面上的导电层，其中：

所述保护层还设置在所述声波器件的远离所述衬底基板一侧的最外层的层级的面上，且不覆盖所述导电层的位置。

上述方案中，所述第二电极层的和所述第一重叠区域对应的部分与所述保护层之间的区域是中空的。

上述方案中，所述保护层包括第一子保护层和第二子保护层，其中：

所述第一子保护层设置在所述声波器件的的远离所述衬底基板一侧的最外层的层级的面上，且不覆盖所述导电层的位置；

所述第二子保护层设置在所述第二电极层的远离所述衬底基板的面上的所述第一位置处；

所述第二子保护层还设置在所述第一子保护层的远离所述衬底基板的面上；

所述第一子保护层和所述第二子保护层连接在一起。

上述方案中，所述第二子保护层与所述第二电极层之间的区域是中空的。

上述方案中，所述第一子保护层所在的位置与所述第一重叠区域所在的位置之间具有预设距离。

上述方案中，所述器件还包括连通所述衬底基板、所述压电层、所述第一电极层和所述第二电极层的第一通孔，所述器件还包括第二通孔，其中：