[发明专利]半导体存储器装置和与操作半导体存储器装置有关的方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；

外围电路，所述外围电路被配置为对所述多个存储块当中的被选存储块执行多页读取操作；以及

控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路选择与所述被选存储块联接的第一字线和第二字线，并且控制所述外围电路在所述第一字线和所述第二字线上执行所述多页读取操作，

其中，所述外围电路通过将读取通过电压施加到未选字线并且将读取电压同时施加到所述第一字线和所述第二字线来执行所述多页读取操作。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在与所述第一字线对应的物理页和与所述第二字线对应的物理页中存储相同的数据。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述被选存储块被划分成多个页组，

其中，所述外围电路对所述多个页组当中的与所述第一字线和所述第二字线联接的被选页组执行多页读取操作。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述外围电路通过将读取通过电压施加到未与所述被选页组联接的字线并且将读取电压施加到与所述被选页组联接的字线来执行所述多页读取操作。

5.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述多个页组中的每一个包括彼此相邻地设置的物理页。

6.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述多个页组中的每一个包括彼此间隔开地设置的物理页。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个存储块包括内容可寻址存储块。

8.一种用于操作包括多个存储块的半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

接收读取命令和与所述读取命令对应的地址；以及

执行与接收到的地址对应的多页读取操作，所述地址标示包括第一字线和第二字线的至少两条字线，

其中，在执行所述多页读取操作时，通过将读取电压同时施加到所述第一字线和所述第二字线，与联接到被选存储块的多条字线对应的多个页的数据被同时读取。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，与所述读取命令对应的所述地址包括与所述第一字线对应的第一物理页地址和与所述第二字线对应的第二物理页地址，所述第一物理页地址和所述第二物理页地址被包括在所述被选存储块中，

其中，执行所述多页读取操作的步骤包括以下步骤：

选择所述第一字线和所述二字线；

将读取通过电压施加到与所述被选存储块联接的所述字线当中的未选字线；以及

将读取电压同时施加到选择的所述第一字线和所述第二字线。

10.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：在将所述读取电压施加到选择的所述第一字线和所述第二字线之后，确定读取操作是否成功。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，与联接到所述被选存储块的所述多条字线对应的多个页的数据是相同的。

12.一种用于操作包括具有至少一个页组的存储块的半导体存储器装置的方法，每个所述页组具有多个物理页，该方法包括以下步骤：

接收针对具有所述至少一个页组的所述存储块的读取命令和与所述读取命令对应的地址；以及

对与所接收到的地址对应的被选页组执行多页读取操作，

其中，在执行所述多页读取操作的步骤中，通过将读取电压同时施加到联接到所述被选页组的字线，包括在所述被选页组中的物理页的数据被同时读取。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，执行所述多页读取操作的步骤包括以下步骤：

将读取通过电压施加到未与所述被选页组联接的字线；以及

将读取电压同时施加到与所述被选页组联接的所述字线。