[发明专利]半导体存储器装置和与操作半导体存储器装置有关的方法

说明书

半导体存储器装置和与操作半导体存储器装置有关的方法。半导体存储器装置可包括存储单元阵列和外围电路。所述存储单元阵列可包括多个存储块。所述外围电路可对多个存储块当中的被选存储块执行多页读取操作。所述外围电路可选择与被选存储块联接的第一字线和第二字线，并在第一字线和第二字线上执行多页读取操作。

技术领域

本公开总体上涉及电子装置，并且更具体地，涉及一种半导体存储器装置和与操作该半导体存储器装置有关的方法。

背景技术

存储器装置可按照其中在半导体基板上水平地布置串的二维结构形成，或者按照其中在半导体基板上垂直地布置串的三维结构形成。三维半导体装置是为了克服二维半导体装置中的集成度限制而设计的存储器装置，并且可包括垂直地堆叠在半导体基板上的多个存储单元。

发明内容

根据本公开的一个方面，可提供一种包括存储单元阵列和外围电路的半导体存储器装置。所述存储单元阵列可包括多个存储块。所述外围电路可被配置为对所述多个存储块当中的被选存储块执行多页读取操作。所述外围电路可选择与所述被选存储块联接的第一字线和第二字线，并在所述第一字线和所述第二字线上执行所述多页读取操作。

根据本公开的另一方面，可提供一种用于操作包括多个存储块的半导体存储器装置的方法。该方法可包括接收读取命令和与所述读取命令对应的地址。该方法可附加地包括执行与接收到的地址对应的多页读取操作。在执行所述多页读取操作时，可对与联接到被选存储块的多条字线对应的多个页的数据进行同时读取。

根据本公开的又一方面，可提供一种用于操作包括具有至少一个页组的存储块的半导体存储器装置的方法。该方法可包括接收针对具有所述至少一个页组的所述存储块的读取命令和与所述读取命令对应的地址。该方法可附加地包括对与所接收到的地址对应的被选页组执行多页读取操作。在执行所述多页读取操作时，对包括在所述被选页组中的物理页的数据进行同时读取。

附图说明

现在将参照附图在下文中详细地描述实施方式的示例；然而，它们可按照不同的形式来实现，而不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达实施方式的示例的范围。

在附图中，为了例示清晰起见，尺寸可能被夸大。将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，该元件可以是这两个元件之间的唯一元件，或者也可存在一个或更多个中间元件。在整个附图中，相似的附图标号指代相似的元件。

图1是例示根据本公开的实施方式的半导体存储器装置的框图。

图2是例示图1的存储单元阵列的实施方式的图。

图3是例示图2的存储块当中的任意一个存储块的电路图。

图4是例示图2的存储块当中的一个存储块的另一实施方式的电路图。

图5是例示包括在图1的存储单元阵列中的多个存储块当中的任意一个存储块的实施方式的电路图。

图6A和图6B是例示存储单元的阈值电压的变化的图。

图7是例示当存储单元的阈值电压改变时存储单元的读取错误的电路图。

图8是例示根据本公开的实施方式的半导体存储器装置的存储块中所存储的数据的图。

图9是例示根据本公开的实施方式的半导体存储器装置的读取操作的图。

图10是例示根据本公开的实施方式的半导体存储器装置的读取操作的效果的图。

图11是例示页组的示例的电路图。

图12是例示包括多个页组的存储块的示例的框图。

图13是例示根据本公开的实施方式的页组的图。