[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供初始基底，所述初始基底包括相邻的中间区和边缘区；

在中间区的初始基底内形成第一开口；

在所述第一开口的侧壁表面形成第一调节层；

形成所述第一调节层之后，在边缘区的初始基底内形成若干第二开口，所述第二开口的深度大于第一开口的深度，相邻第一开口和第二开口之间的初始基底形成第一鳍部，相邻第二开口之间的初始基底形成第二鳍部；所述第一鳍部、第二鳍部、第一开口以及第二开口底部的初始基底形成基底；

在基底表面形成隔离结构，所述隔离结构的顶部表面低于所述第一鳍部和第二鳍部的顶部表面，所述第一鳍部两侧的隔离结构厚度不同。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二开口之后，形成所述隔离结构之前，还包括：在初始基底表面形成第二调节层，所述第二调节层覆盖部分第一鳍部和第二鳍部的侧壁表面和第一调节层的侧壁表面。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一调节层的材料包括：氮化硅或氧化硅；所述第一调节层的厚度为8埃～30埃。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一调节层的形成方法包括：在初始基底表面、以及第一开口的底部表面和侧壁表面形成第一调节材料层；回刻蚀所述第一调节材料层，直至暴露出初始基底的顶部表面和第一开口的底部表面，形成所述第一调节层。

5.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二调节层的材料包括：氮化硅或氧化硅；所述第二调节层的厚度为10埃～35埃。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一开口的形成方法包括：在所述初始基底表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出中间区的部分初始基底表面；以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述初始基底，在中间区的初始基底内形成第一开口。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的形成方法包括：在初始基底上形成第一辅助图形层，所述第一辅助图形层覆盖部分初始基底表面；在所述初始基底表面形成初始第一掩膜层，所述初始第一掩膜层覆盖第一辅助图形层顶部和侧壁；回刻蚀所述初始第一掩膜层，直至暴露出第一辅助图形层顶部表面，形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖第一辅助图形层的侧壁。

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成第一辅助图形层后，形成所述初始第一掩膜层之前，还包括：在所述第一辅助图形层侧壁形成第二掩膜层，所述第二掩膜层位于初始基底表面，覆盖第一辅助图形层侧壁表面；以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜刻蚀所述初始基底，在中间区的初始基底内形成第一开口；所述第一掩膜层的形成方法包括：在所述初始基底表面形成初始第一掩膜层，所述初始第一掩膜层覆盖第一辅助图形层顶部表面、第二掩膜层顶部表面和侧壁表面；平坦化所述初始第一掩膜层，暴露出第一辅助图形层顶部表面和第二掩膜层顶部表面，形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖第二掩膜层侧壁表面。

9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二开口的形成方法包括：在所述第一开口内形成第一牺牲层；以所述第一牺牲层和第一掩膜层为掩膜，刻蚀边缘区的初始基底，形成所述第二开口，所述第二开口底部表面低于第一开口底部表面。

10.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的形成方法包括：在第一开口内填充满第一牺牲材料层，且所述第一牺牲材料层的表面高于所述第一掩膜层和第二掩膜层的顶部表面；平坦化所述第一牺牲材料层，在所述第一开口内形成第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖第一调节层侧壁表面。